快人一步！三星32層堆柵閃存正式投產(chǎn)
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泡泡網(wǎng)SSD固態(tài)硬盤頻道5月30日 2013年8月，三星電子宣布批量投產(chǎn)全球先進個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。今天，三星又公布了第二代，堆疊的閃存竟然達到了32層，比第一代的24層又增加了三分之一。
與此同時，三星還推出了一系列基于這種新閃存的固態(tài)硬盤，容量有128GB、256GB、512GB、1TB等不同規(guī)格，應用市場也從數(shù)據(jù)中心拓展到了高端PC。
三星稱，相比于普通的2D平面閃存，新的3D立體閃存寫入壽命可以延長大約一倍，功耗降低20%。
多層堆疊最大的好處就是可以增加單顆閃存的容量，從而減少整塊硬盤所需的顆粒數(shù)量，不過三星并未公布目前可以達到單顆最高多大容量。去年的是單顆16GB。
三星表示，今年晚些時候還會推出更多3D閃存固態(tài)硬盤，容量更大，可靠性更高。■
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