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AMD都支持!拋棄DDR選擇DDR2的5大理由

    縱觀各大配件之中，內(nèi)存無(wú)疑是各家關(guān)注的重點(diǎn)之一，也是影響整機(jī)性能的關(guān)鍵部件，因此可謂競(jìng)爭(zhēng)激烈，雖然內(nèi)存的品牌并不如其他某些配件如此繁多，然而其規(guī)格的搭配，做工的優(yōu)劣，以及各項(xiàng)性能指標(biāo)的差異，確是實(shí)在不可小覷。

    別看小小一根內(nèi)存，卻是花樣百出?，F(xiàn)在市場(chǎng)上的內(nèi)存主要有以下兩類(lèi)：一類(lèi)是現(xiàn)在最流行的DDR內(nèi)存，還有一類(lèi)則是即將普及，或是說(shuō)有普及希望的DDR 2內(nèi)存。

    如今，DDR2內(nèi)存就像PCI-E總線那樣已經(jīng)逐漸成熟起來(lái)，同時(shí)，市場(chǎng)上的商家也開(kāi)始大力推廣支持DDR2內(nèi)存的主板產(chǎn)品?？梢哉f(shuō)，DDR2內(nèi)存普及的時(shí)候到了，原因呢？馬上為您揭曉！

    最近最為重大的新聞就是未來(lái)AMD主流平臺(tái)將從目前的Socket939架構(gòu)轉(zhuǎn)換到SocketM2。Socket M2將擁有940根針腳，而且新一代SocketM2主板的實(shí)際布局與目前的Socket939主板很類(lèi)似，但顯然它并不能兼容目前的Socket 939處理器。雖然此前AMD也推出過(guò)Socket940處理器，但他們不能在SocketM2主板上工作或兼容。說(shuō)白了，因此Socket M2平臺(tái)需要與DDR2內(nèi)存搭配使用。之所以采用類(lèi)似的布局，這樣可以讓主板廠商快速?gòu)膐cket939主板轉(zhuǎn)移到Socket M2之上。

    支持DDR2-667內(nèi)存、Socket M2處理器將在2006年第二季度發(fā)布。其中代號(hào)為“Orleans”的核心是針對(duì)單核處理器，AMD在其發(fā)展藍(lán)圖上并沒(méi)有透露包括頻率、緩存等方面的具體細(xì)節(jié)。但如果不仔細(xì)看的話，也許你認(rèn)為Socket M2處理器性能與目前939處理器一樣，那么你將是錯(cuò)誤的。另外一種可能性是Socket M2平臺(tái)DDR2內(nèi)存子系統(tǒng)的性能將超過(guò)目前的Socket 939，所以AMD再一次改用了新的命名。任何一個(gè)選擇都有可以，因此當(dāng)我們看頻率為2.6GHz、512KB的M2 4000+也不會(huì)感到吃驚。

　 采用Socket M2針腳的內(nèi)核被稱為“F”步進(jìn)，它擁有目前“E”步進(jìn)核心的全部特性，但是在電源功率上有了很明顯的改變。例如：目前San Diego核心的E版Athlon64最高功耗在90W左右，采用的電流是80安培。而F版的Athlon64 FX處理器對(duì)電流的要求提高到95安培，但功耗仍然與E版Athlon64一樣。AMD在其最新Roadmap中透露，未來(lái)FX M2處理器的最大TDP為125W，而F版雙核心Athlon64 X2的最高TDP為110w，單核心的Athlon64的最高TDP為104W。

 Socket M2 Athlon64 X2架構(gòu)圖

    我們可以看到在這個(gè)架構(gòu)圖里面最大的變化就是內(nèi)嵌了DDR2的內(nèi)存控制器而非DDR1。這些新技術(shù)的應(yīng)用將給PC性能帶來(lái)多大的性能提升我們還不得而知，不過(guò)這些好東東還是讓我興奮不已。雖然國(guó)目前S939接口處理器剛剛成為主流，但AMD似乎已經(jīng)開(kāi)足馬力準(zhǔn)備邁向更高的臺(tái)階了。其實(shí)PC技術(shù)的進(jìn)步就是這樣，不管普通消費(fèi)者是否現(xiàn)在需要，他們總是要盡快推出新產(chǎn)品，因?yàn)檫@個(gè)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)太激烈了。此外，高性能的新產(chǎn)品會(huì)在那些利潤(rùn)豐厚的高端市場(chǎng)有所斬獲，這也是硬件廠商不斷推陳出新的重要原因。

    點(diǎn)評(píng)：盡管Socket M2架構(gòu)處理器離我們還比較遙遠(yuǎn)，不過(guò)，可以看出就連一直對(duì)DDR2規(guī)范都不“感冒”的AMD也把其納入了日程之內(nèi)，可見(jiàn)一斑。

    理由充分度：★★★

    目前，DDR2 512MB與DDR 512MB差價(jià)已經(jīng)縮小至5％，而今年年初，兩者差價(jià)高達(dá)30％。隨著越來(lái)越多廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)NAND閃存芯片，DRAM將面臨供應(yīng)不足。DDR2和DDR價(jià)格將在今年第三季度達(dá)到持平。

    另一方面，現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR 512MB市場(chǎng)價(jià)格開(kāi)始整體上揚(yáng)，這一點(diǎn)從本站近期的市場(chǎng)報(bào)價(jià)中便可以看到。如此一來(lái)，DDR2內(nèi)存的市場(chǎng)售價(jià)將會(huì)很快與DDR持平，甚至還要低。（目前已經(jīng)有199元的DDR2內(nèi)存銷(xiāo)售了，詳情請(qǐng)看《比DDR還便宜! 金邦DDR2 533內(nèi)存199元》）

 全都是“Up”

    一家韓國(guó)DRAM制造商（未指明）已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模向NAND閃存芯片轉(zhuǎn)產(chǎn)，因此今年下半年DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)速度將低于前期。雖然90nm結(jié)點(diǎn)技術(shù)將從下季度起應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)，但是初始產(chǎn)品依舊無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，尤其在PC OEM商開(kāi)始增加其第三季度訂單數(shù)量的情況下。DRAMeXchange網(wǎng)站曾經(jīng)預(yù)測(cè)DDR2存儲(chǔ)顆粒將在八月至十月間進(jìn)入供不應(yīng)求階段。

    點(diǎn)評(píng)：現(xiàn)在的DDR價(jià)格就是未來(lái)的DDR2價(jià)格，而且日子不會(huì)太久。

    理由充分度：★★★

    根據(jù)財(cái)報(bào)資料顯示，全球前5大內(nèi)存廠4～6月?tīng)I(yíng)運(yùn)狀況，三星半導(dǎo)體部門(mén)營(yíng)運(yùn)獲利逾10億美元，海力士?jī)衾?.33億美元，美光凈損1.28億美元，英飛凌凈損2.88億美元。

    我們從財(cái)報(bào)中可以看到，三星無(wú)疑是內(nèi)存業(yè)界的王牌老大。因此，我們就以三星作為引導(dǎo)者。

    作為內(nèi)存業(yè)界的王牌，DDR2能否普及必定會(huì)受其影響。不過(guò)，三星電子于7月中旬表示量產(chǎn)667MHz DDR2內(nèi)存，這將引起新一場(chǎng)的內(nèi)存速度競(jìng)爭(zhēng)。

    三星將開(kāi)始出貨256MB和512MB DDR2-667內(nèi)存芯片，稍后更將開(kāi)始出貨1GB版本芯片。利用這樣的8塊芯片將可以生產(chǎn)出256MB和512MB的內(nèi)存模組。

    三星電子表示：“我們無(wú)疑是DDR2領(lǐng)域的領(lǐng)頭人，自從去年4月開(kāi)始量產(chǎn)以來(lái)我們已經(jīng)提供了數(shù)以億計(jì)的DDR2內(nèi)存。”三星半導(dǎo)體內(nèi)存銷(xiāo)售和市場(chǎng)部的高級(jí)副總裁Tom Quinn這樣說(shuō)道，“我們正在將DDR2-667內(nèi)存芯片的生產(chǎn)轉(zhuǎn)向使用300mm晶圓和90nm生產(chǎn)工藝。”

    此外，分析公司iSuppli已經(jīng)預(yù)測(cè)DDR2的市場(chǎng)占有率將從今年的35%增加到明年的68%。

    點(diǎn)評(píng)：三星——DDR2領(lǐng)頭羊必定會(huì)促使DDR2蓬勃發(fā)展。而三星DDR2內(nèi)存的量產(chǎn)也將加快DDR2的普及速度。

    理由充分度：★★★

    繼4月初發(fā)表PQI TurboMemory DDR2-900桌上型電腦專(zhuān)用高性能內(nèi)存模組之后，勁永國(guó)際于上月再度率先推出PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專(zhuān)用高性能內(nèi)存模組。

    PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專(zhuān)用高性能內(nèi)存模組采用的是 DDR2-667原廠顆粒，搭配最新上市的GA-8I955NXP主板，經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè) 試在雙通道模式的性能達(dá)到DDR2-1000以上，在單通道模式之性能更達(dá)到DDR2-1066，將DDR2內(nèi)存模組的速度又推上另一個(gè)高峰。

    PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專(zhuān)用高性能內(nèi)存模組使用的測(cè)試平臺(tái)為采用Intel 955X Express高速芯片組的GA-8I955NXP主板、Intel Pentium 4 2.8 GHz CPU 、ATI RADEON X700 PRO繪圖卡和Thermaltake Tower112的風(fēng)扇；CPU電壓為默認(rèn)值，內(nèi)存電壓設(shè)定為1.9V，延遲時(shí)間(CAS Latency)和DDR2-667相同，為CL5-5-5低延遲時(shí)間，雙通道模式最高測(cè)試紀(jì)錄高達(dá)1020MHz以上。

    PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專(zhuān)用高性能內(nèi)存模組符合JEDEC DDR2 (Double Data Rate 2) 240Pin Unbuffered-DIMM內(nèi)存架構(gòu)，而且完全兼容于Intel 945/955芯片組DDR2-667主板。

    點(diǎn)評(píng)：1020MHz——DDR根本達(dá)不到的極限頻率，發(fā)燒友必選DDR2。

    理由充分度：★★★

    目前的DDR2內(nèi)存可以說(shuō)是一大亮點(diǎn)，畢竟其是日后的普及方向。為了更好的讓廣大用戶了解DDR2內(nèi)存的性能，小編引用本站對(duì)一款英飛凌DDR2臺(tái)式機(jī)內(nèi)存進(jìn)行了簡(jiǎn)單的超頻測(cè)試來(lái)說(shuō)明一下，這樣可以讓您對(duì)DDR2內(nèi)存產(chǎn)品有更多了解。