采用3D V-NAND閃存 三星發(fā)布850 Pro SSD
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泡泡網(wǎng)SSD固態(tài)硬盤頻道7月2日 三星電子在首爾召開“2014三星固態(tài)硬盤全球峰會”并發(fā)布了850 PRO固態(tài)硬盤(SSD)。該產(chǎn)品采用了三星電子尖端3D V-NAND閃存技術,并將于本月起在全球53個國家和地區(qū)上市。 全新850 PRO固態(tài)硬盤基于三星V-NAND專利技術,適用于高端個人電腦和工作站。三星的V-NAND閃存采用垂直單元結構,不僅突破了具有平面架構的傳統(tǒng)閃存在容量上的局限性,更能大幅提高產(chǎn)品的讀寫速度、耐用性和能效。
三星850 PRO固態(tài)硬盤采用SATA III(6Gb/s)接口,達到固態(tài)硬盤的最高性能水準。其順序讀寫速度最高可分別達到550 MB/s和520 MB/s,而最大隨機讀寫速度則分別100,000IOPS和90,000IOPS。
該固態(tài)硬盤還具有“動態(tài)散熱保護”功能,能在工作中保持適宜環(huán)境溫度,避免產(chǎn)品過熱造成的數(shù)據(jù)損失。三星850 PRO固態(tài)硬盤將提供128GB、256GB、512GB和1TB等不同存儲容量的版本。
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