TLC技術(shù)運(yùn)用到3D閃存 存儲(chǔ)密度可再提升
泡泡網(wǎng)SSD固態(tài)硬盤(pán)頻道7月8日 三星已在自家的850 Pro系列SSD上采用了3D閃存技術(shù)(又稱V-NAND)芯片，而它看起來(lái)也會(huì)成為傳統(tǒng)閃存的有力繼任者。該方法避開(kāi)了傳統(tǒng)平面(2D)制造過(guò)程中所面臨的“制程縮小、干擾增大”等問(wèn)題，從理論上來(lái)講，通過(guò)相互堆疊多層單元，V-NAND可實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。不過(guò)，多層堆疊并不是三星唯一的武器，因?yàn)樵摴驹缇烷_(kāi)始運(yùn)用3bit的TCL技術(shù)了。
我們得知三星將把TLC技術(shù)運(yùn)用到3D架構(gòu)的V-NAND上。
在韓國(guó)首爾舉辦的SSD全球峰會(huì)上，三星在問(wèn)答環(huán)節(jié)期間宣布了3bit V-NAND計(jì)劃。我們預(yù)計(jì)，三星會(huì)在今年晚些時(shí)候推出“更高存儲(chǔ)密度”的第二代入門(mén)級(jí)TLC V-NAND驅(qū)動(dòng)器。
對(duì)于消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)，TLC的缺點(diǎn)在很大程度上有些無(wú)關(guān)緊要。在三星840系列SSD的耐久度實(shí)驗(yàn)中，TLC產(chǎn)品甚至可在燒錄了數(shù)百TB的數(shù)據(jù)后才掛掉，而這已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了一般人的需要。
至于840 EVO系列SSD，更是巧妙地運(yùn)用了SLC高速緩存來(lái)抵消TLC較慢的寫(xiě)入速度。綜上所述，三星應(yīng)該理應(yīng)拿得出令消費(fèi)者信服的TLC V-NAND產(chǎn)品。
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