三星850Pro ssd可靠性測試 6000次P/E
泡泡網(wǎng)SSD固態(tài)硬盤頻道7月8日 三星前不久發(fā)布了850 Pro固態(tài)硬盤，性能提升并不明顯，但是850 Pro它使用的是三星第二代的V-NAND閃存。測試顯示其P/E循環(huán)壽命達(dá)到了6000次，大約是目前NAND的2倍，但沒有達(dá)到三星官方所說的10倍可靠性。
三星前不久發(fā)布了新一代的850 Pro固態(tài)硬盤，在SATA 6Gbp接口的制約下，其性能提升相比840 Pro來說并不明顯，但是850 Pro最引人矚目的地方在于閃存——它使用的是三星第二代的V-NAND閃存。三星此前宣稱V-NAND閃存的性能及可靠性都有明顯提升，而850 Pro的10年質(zhì)保多多少少也證明了這一點。
三星850 Pro固態(tài)硬盤的性能測試之前已經(jīng)看過，這次我們來關(guān)心下使用V-NAND閃存的850 Pro在可靠性上到底如何，是不是真的像三星說的那么強(qiáng)。這次出手測試的還是Anandtech網(wǎng)站，來看下他們的分析測試結(jié)果。
Anandtech網(wǎng)站測試可靠性用的方法——通過SMART信息中的WLC（ Wear Leveling Count）指數(shù)計算閃存的P/E擦寫次數(shù)，下圖中ID為177的指標(biāo)就是WLC磨損水平計數(shù)，從100降到0意味著P/E次數(shù)用盡，不過WLC降到0也不代表SSD完蛋。
經(jīng)過測試，原文稱每60次P/E循環(huán)之后WLC指數(shù)會下降1（實際測試不會只測1個WLC指數(shù)下降的），這意味著6000次之后WLC指數(shù)就會降低到0，也就是說850 Pro使用的V-NAND閃存的P/E壽命就是6000次，相比目前的2D閃存3000次的P/E壽命來說提升了一倍，但是與三星所說的10倍可靠性相去甚遠(yuǎn)。（PS：之前的新聞中記得三星說的都是兩倍的可靠性，從3000到6000倒是正好符合這個2倍可靠性的說法。）
WLC指數(shù)從100降低到0，意味著NAND閃存的壽命將近，不過這并不是說SSD很快就完蛋了，實際上SMART信息中的WLC指標(biāo)還是很保守的，就算是降到0，SSD還可以用很長時間，之前Techreport的SSD可靠性測試就證明了這一點，WLC降到0并不是世界末日，但是該指標(biāo)一旦降到0了，說明SSD以后的使用還是會充滿風(fēng)險的，說不定什么時候就要掛掉了。
計算出了P/E壽命之后，再根據(jù)容量和預(yù)估的使用情況，我們就可以大體推算SSD的使用壽命了，這個方法在之前的文章中也有過介紹。
如果以每天寫入20GiB數(shù)據(jù)，1.5倍寫入放大來計算，128GB可以使用35年，1TB的甚至高達(dá)282年。再把使用情況加重一些，每天寫入100GiB數(shù)據(jù)，寫入放大率算作3，那么128GB依然可以使用7年，256GB、512GB及1TB則可以使用14、28、56年之多。
當(dāng)然，上面的計算還是比較理想的結(jié)果，因為計算的是主機(jī)寫入量，Anandtech又計算了最壞情況下也就是寫入放大率最高時的情況。
根據(jù)主機(jī)寫入量和NAND寫入量來計算寫入放大率，最壞情況下計算得出的是10.97x倍，下面的計算中算作11。
對于850 Pro的可靠性，Anandtech網(wǎng)站表示還會放入他們的企業(yè)級測試中進(jìn)一步考驗。下面再來看850 Pro的另一個問題——NAND閃存的核心面積。
三星之前的發(fā)布會上并沒有公布850 Pro的NAND閃存的核心面積，Anandtech決定自己算一下，根據(jù)會場上公布的晶圓照，300mm晶圓上垂直方向有44個NAND核心，寬度6.8毫米。
至于如何計算，最簡單的方式是再數(shù)下水平方向的核心數(shù)量，但是圓形晶圓的計算會很復(fù)雜，他們用的是PS工具，每個核心的長度大約是寬度的2.05倍，計算出來每個核心的長寬就是14x6.8毫米，面積約為95.4平方毫米。
根據(jù)核心面積和容量計算下每個NAND的容量密度，最高的是三星第一代V-NAND閃存，850 Pro的二代V-NAND位居第二，每平方毫米大約是0.9Gbit?！?/P>
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