東芝15nm閃存探索：存儲(chǔ)密度完爆鎂光
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泡泡網(wǎng)SSD固態(tài)硬盤(pán)頻道8月24日 東芝日前展示了他們和閃迪聯(lián)合開(kāi)發(fā)的15nm NAND閃存，但是對(duì)于核心面積、存儲(chǔ)密度等關(guān)鍵參數(shù)只字未提，AnandTech于是進(jìn)行了一番探索，結(jié)果相當(dāng)震驚。
結(jié)合晶圓尺寸經(jīng)過(guò)估算，東芝/閃迪15nm 128Gb(16GB)閃存顆粒的面積為139平方毫米，相比于美光16nm小了足足20％，對(duì)比美光20nm更是小了超過(guò)31％。
存儲(chǔ)密度也就很容易得出了：0.92Gb每平方毫米。這已經(jīng)十分逼近三星堆疊了24層的同容量顆粒，甚至超過(guò)了第一代的32曾堆疊(86Gb)，也創(chuàng)下了平面閃存的最新記錄，比此前美光16nm提高了足足24％。
東芝和閃迪要到2016年初才會(huì)進(jìn)入3D閃存時(shí)代，原因就不言自明了：15nm工藝都可以如此有效地縮小面積、提高密度，干嗎要急著3D？
目前官方還沒(méi)有公布詳細(xì)的架構(gòu)圖，所以不知道東芝/閃迪究竟用了什么方法才有如此高校的成果。
東芝/閃存15nm閃存正在開(kāi)始加緊量產(chǎn)，相關(guān)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品會(huì)在第四季度推出?！?/p>
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