一張圖告訴你 Intel 的工藝有多牛B！
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之前我們?cè)敿?xì)了解過(guò)Intel 14nm工藝的過(guò)人之處，但那基本只是單一的介紹，沒(méi)有和其他廠商、其他工藝的正面對(duì)比。日本同行PCWatch近日也對(duì)Intel新工藝做了一番解析，更加凸顯了世界靠前芯片巨頭的強(qiáng)悍。
Intel 22nm工藝已經(jīng)率先使用了3D立體晶體管，14nm上將進(jìn)化到第二代，其他廠商則會(huì)陸續(xù)上馬類似的FinFET，包括臺(tái)積電16nm、三星/GlobalFoundries 14nm。
來(lái)看看幾個(gè)工藝的間距數(shù)據(jù)：
Intel 14nm的柵極間距為70nm，內(nèi)部互聯(lián)最小間距為52nm，這兩項(xiàng)指標(biāo)分別比22nm縮小了22％、35％。
相比之下，臺(tái)積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當(dāng)于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而內(nèi)部互聯(lián)最小間距則都是64nm，相比于Intel大了23％。
這些間距越小，就可以把晶體管做得更小、更密，對(duì)于電路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。
Intel近幾代工藝進(jìn)化史
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