新工藝開始使用！DDR4內(nèi)存價格將降低
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道10月22日 三星電子今天宣布，已經(jīng)量產(chǎn)業(yè)內(nèi)非常先進的8Gb(1GB) DDR4內(nèi)存顆粒、32GB DDR4內(nèi)存條，均采用了其最新的20n工藝。
新顆粒與內(nèi)存仍是面向企業(yè)服務(wù)器的，RDIMM類型，已于本月初投產(chǎn)。額定頻率為2400MHz，相比于DDR3-1866性能可提升大約29％，而電壓維持在標準的1.2V。
三星表示，借助3D TSV硅穿孔技術(shù)，新顆?？梢灾圃靻螚l128GB的超大容量條子。
這樣一來，三星的20nm DRAM工藝也算是全面普及了，還有用于臺式機的20nm 4Gb DDR3、給移動設(shè)備的20nm 6Gb LPDDR3。
三星聲稱內(nèi)存在2015年也不會降價，但說的主要是DDR3DDR4在歷史的大趨勢下必然會慢慢平民化，預(yù)計到2016年就差不多了。三星作為全球最大DRAM內(nèi)存廠商，20nm新工藝逐漸普及，還在興建超大的新工廠，DDR4真的是越來越近了。■
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