3D TLC威力如何?三星850 EVO首發(fā)評(píng)測(cè)
泡泡網(wǎng)SSD固態(tài)硬盤頻道12月8日 憑借雄厚的工廠資源，三星第一個(gè)將TLC閃存投入了實(shí)用，并連續(xù)推出了840、840 EVO兩代產(chǎn)品，都是物美價(jià)廉的代表。現(xiàn)在，第三代的“850 EVO”來了，而且第一次應(yīng)用了3D V-NAND堆疊的TLC。
這種閃存規(guī)格從一誕生就爭議不斷，相比于單位的SLC、雙位的MLC，三位的它成本更低，但是相對(duì)壽命短很多，性能也差一些。
雖說無論從理論還是實(shí)際上看，TLC應(yīng)付日常應(yīng)用都綽綽有余，但是用戶對(duì)它的長期可靠性一直都沒有放下心來。
特別是這段時(shí)間，iPhone 6部分也用了TLC閃存，結(jié)果出現(xiàn)了一些毛病，更是質(zhì)疑聲群起。在此之前，840 EVO、840先后出現(xiàn)了老數(shù)據(jù)讀取掉速的問題，雖然三星極力否認(rèn)和TLC有關(guān)，但實(shí)在沒法讓人信服。
另一方面，三星也是第一個(gè)玩起3D堆疊閃存技術(shù)的，都發(fā)展到了第二代。
850 EVO也是3D、TLC兩種技術(shù)認(rèn)可度高次結(jié)合在一起，堆了多達(dá)32層，能開出什么花呢？日本網(wǎng)站4Gamer搶先公布了對(duì)它的實(shí)際評(píng)測(cè)。
【850 EVO規(guī)格解析】
850 EVO仍是傳統(tǒng)的SATA 6Gbps 2.5寸盤規(guī)格，6.8毫米超薄，容量分為120GB、250GB、500GB、1TB，搭配緩存256MB-1GB，安全技術(shù)支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0，平均故障間隔時(shí)間150萬小時(shí)，終生數(shù)據(jù)寫入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。
不過閃存顆粒的具體工藝暫時(shí)不詳。
性能方面，持續(xù)讀寫最高都是540MB/s、520MB/s，隨機(jī)讀寫則是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盤頂天也就是這樣了，但是對(duì)于TLC來說已經(jīng)很高很高，基本可以媲美MLC。
值得一提的是主控，120-500GB用的是最新一代MGX，據(jù)稱優(yōu)化了性能，特別是低容量下的隨機(jī)性能。1TB的則是和上代相同的MEX，后者的功耗也略高一些。
從三星給出的數(shù)據(jù)看，同容量的850 EVO隨機(jī)寫入性能的確比840 EVO高很多，即便是同樣主控的1TB版也更快了，隊(duì)列深度1的時(shí)候都能加速21％，隊(duì)列深度32的時(shí)候120GB版可以加速1.5倍！
840 EVO引入寫入加速技術(shù)“TurboWrite”也延續(xù)了下來，它是通過將TLC模擬成高速的SLC來提升性能，現(xiàn)在號(hào)稱更猛了，尤其是持續(xù)寫入可以加快7-19％。
RAPID技術(shù)同樣還在，簡單地說是借助系統(tǒng)內(nèi)存和CPU資源緩存頻繁訪問的數(shù)據(jù)，進(jìn)行加速。
另外，質(zhì)保時(shí)間也從3年提高到了5年，相信可以讓大家更放心一些了。
【850 EVO 120GB實(shí)物拆解】
本次測(cè)試的是最小容量的，但是從價(jià)格、性價(jià)比方面看，這也是大多數(shù)用戶首選的，因此更有實(shí)際意義。
850 EVO：表面顏色更深了
這是840 EVO
背面有型號(hào)、編號(hào)等信息
打開外殼大吃一驚，PCB居然這么??！這自然得益于如今閃存的高集成度
背面甚至基本是空的，只有一些電器元件
中間的S4LN062X01-Y030就是MGX主控，因?yàn)榇饲癕EX主控的編號(hào)是S4LN045X01-8030。上邊就是3D TLC閃存顆粒，編號(hào)K90KGY8S7C，單顆容量128GB。下邊是緩存，256MB LPDDR3
背面有一個(gè)空焊位
三星固態(tài)硬盤管理工具M(jìn)agician 4.5
【性能測(cè)試：PK 840 EVO】
測(cè)試平臺(tái)配置如下：
測(cè)試項(xiàng)目不是很多，但也足以看清850 EVO的表現(xiàn)了，尤其是和上代840 EVO對(duì)比有多大的進(jìn)步呢？
PCMark 8存儲(chǔ)得分：基本沒有任何不同，開啟RAPID模式后增加了幾十分，也只有1％。
PCMark 8存儲(chǔ)帶寬：進(jìn)步神速啊，提升了幾乎有60％。RAPID模式也有點(diǎn)效果，能進(jìn)一步提升4-7％。
PCMark 8游戲載入速度：沒任何變化，RAPID開關(guān)也無不同。
CDM持續(xù)讀寫速度：讀取沒變，寫入瘋了，300MB/s左右躥升超過了510MB/s，達(dá)到了十分理想的水平。
CDM 512KB隨機(jī)讀寫速度：讀取反而還有所倒退，1000MB區(qū)塊的寫入倒是繼續(xù)暴漲，提升了45％。
CDM 4KB隨機(jī)讀寫速度：讀取、寫入都小有進(jìn)步。
CDM 4KB 32隊(duì)列深度隨機(jī)讀取速度： 讀取提升了超過10％，1000MB區(qū)塊的寫入又一次暴漲，接近70％。
Iometer隨機(jī)讀寫：太兇了，翻了一番還多。
HD Tune：兩張圖里看起來都是850 EVO，但是原文說第二張其實(shí)是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。
【850 EVO：你值得擁有】
雖然還是TLC，不過這次850 EVO真的是很有誠意。3D堆疊技術(shù)的加入當(dāng)然是最大亮點(diǎn)，它大大提高了存儲(chǔ)密度，并進(jìn)一步降低了成本，直接好處就是可以更便宜一些。
3D堆疊的長期可靠性還有待檢驗(yàn)，但是考慮到此前是首先在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域使用的，應(yīng)該更可靠才對(duì)。
另一點(diǎn)證據(jù)就是，質(zhì)保從3年延長至5年，說明三星對(duì)V-NAND是很有信心的。
新的主控暫時(shí)還了解得不是很多，但提升寫入性能的宣傳不是白給的，配合TurboWrite、RAPID，新一代的隨機(jī)寫入有了明顯的進(jìn)步，已經(jīng)堪比主流MLC，讀取也有所進(jìn)步。
如果你使用中的隨機(jī)讀寫比較頻繁，這一代會(huì)有明顯改觀。
最關(guān)鍵的價(jià)格暫時(shí)不詳。此前美國電商給出的預(yù)訂價(jià)大致在100、150、260、480-500美元，即便排除其中的水分也可以基本肯定會(huì)比840 EVO貴一些，要拉開檔次的節(jié)奏，畢竟規(guī)格更強(qiáng)了，質(zhì)保也更長了，但是只要?jiǎng)e太離譜，還是很值得關(guān)注的。 ■
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