革命性存儲新介質 電阻式RAM即將到來
泡泡網(wǎng)存儲頻道12月23日 NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的現(xiàn)行標準，并且正在向3D立體堆疊和更新工藝邁進，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術勢在必行。
這其中最有希望的就是電阻式RAM(簡稱RRAM)，三星、閃迪等巨頭都在投入，但走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。
Crossbar成立于2010年，總部位于加州生克拉拉，已融資5000多萬美元。公司的很多創(chuàng)業(yè)人員都來自密歇根大學，首席科學家、聯(lián)合創(chuàng)始人Wei Lu(盧偉)就是那里的副教授。團隊現(xiàn)有40-45人，大多都有深厚的半導體研發(fā)背景。
RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossbar宣稱他們可以做到最低50納秒，也就是加快了上萬倍。
RRAM的編程/擦寫循環(huán)更是可以達到數(shù)百萬次，初期也能做到10萬次左右，NAND閃存現(xiàn)在只有區(qū)區(qū)幾千次。
令人歡欣鼓舞的最新消息是，Crossbar宣布他們的RRAM已經(jīng)開始進入商業(yè)化階段，也就是有了可用的成品芯片，并證明自己能夠進入工廠量產(chǎn)。
Crossbar初期準備面向嵌入式市場，授權給ASIC、FBGA、SoC開發(fā)商，預計首個樣品2015年初出爐，2015年底或2016年初量產(chǎn)。
除了授權，Crossbar還在開發(fā)自己的芯片，容量和密度更高，大概會在2017年面世。
更美妙的是，RRAM可使用常規(guī)的CMOS工藝制造，只需稍加調(diào)整即可，幾乎任何現(xiàn)有晶圓廠的生產(chǎn)線都可以直接利用，有利于控制成本。NAND，尤其是3D立體堆疊的NAND，則需要昂貴的特殊工具，所以能生產(chǎn)的公司寥寥無幾。
此外，RRAM不會有NAND工藝越先進、制造越困難、壽命越短、性能越低的尷尬。NAND之所以非要3D堆疊，唯一原因就是平面NAND在越過15nm工藝之后壽命和性能的損失將無法接受，RRAM則至少可以走到4-5nm，且期間不會有任何問題。
事實上，Crossbar已經(jīng)在實驗室里展示了8nm RRAM芯片。
RRAM當然也可以立體堆疊，能夠大大提升存儲密度，同時還設計了獨特的選擇
(Selector)，來避免潛通路電流(sneak path current)的干擾——讀取某元件狀態(tài)時，會受到附近元件電流的影響，導致讀取錯誤。
Crossbar現(xiàn)在只做了3層，但是商業(yè)化量產(chǎn)時至少會有16層，單顆容量可達1Tb(128GB)。■
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