美光再曝可變電阻式ReRAM 暫未能量產(chǎn)
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泡泡網(wǎng)存儲頻道12月23日 新的存儲技術時不時就會冒出來一個，但從研發(fā)到商用總是要歷經(jīng)漫長的艱難坎坷。如果說Crossbar這種小型創(chuàng)業(yè)公司的電阻式RRAM讓你感到信心不足，那么存儲大廠美光的可變電阻式ReRAM會不會更有吸引力？
其實，美光早在2007年就提出了這種技術，此后幾乎每年都會透露一些進展，但就是距離量產(chǎn)遙遙無期，這次也沒有給出具體時間表。
美光是和索尼聯(lián)合研發(fā)ReRAM的，其基本原理和Crossbar RRAM有些類似，同樣是非易失性存儲，但是更強調(diào)電阻可變，同時為了區(qū)分，縮寫也有所不同。
美光這次在IEEE IEDM 2014國際電子設備大會上上公布的原型采用了27nm CMOS工藝制造，三層銅線互連，單顆容量16Gb(2GB)，內(nèi)核面積168平方毫米。作為原型，它采用了DDR內(nèi)存接口，但后期很容易替換。
美光表示，理想的指標是讀寫帶寬1000MB/s、200MB/s，讀寫延遲2微秒、10微秒，而目前的原型可以發(fā)揮大約九成的功力。
設計指標與內(nèi)核局部照片
設計指標與原型指標
內(nèi)部互連結(jié)構示意圖
索尼也有很大的貢獻■
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