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索尼美光攜手ReRAM新成果 可取代內(nèi)存

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道12月29日 目前業(yè)界正在研制一種新型的存儲芯片，就是被命名為ReRAM的電阻式內(nèi)存，這種存儲芯片既擁有DRAM水平的讀寫速度，又可以像NAND閃存那樣在斷電后也能保存數(shù)據(jù)，可以說是整合了兩者的優(yōu)點于一身?，F(xiàn)在ReRAM芯片的研制已經(jīng)初見成效，日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果，稱他們試制的產(chǎn)品在性能上已經(jīng)非常接近理論數(shù)據(jù)。

    索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb（2GB）的ReRAM芯片，據(jù)稱這款芯片基于27nm CMOS工藝打造，可以用于替換現(xiàn)有的DDR SDRAM芯片，可用于移動設(shè)備或者是PC上。按照公布的信息稱，這顆芯片的實際性能是讀取900MB/s，寫入180MB/s，和它讀取1000MB/s、寫入200MB/s的理論性能已經(jīng)非常接近，進入量產(chǎn)、商品化的可能性很高。

    另外根據(jù)兩者公布的成品來看，這款ReRAM芯片應(yīng)該是索尼早前研究成果的延續(xù)，畢竟索尼早在2011年就公布了小容量型的樣品，而Micron早前的研發(fā)精力則放在相變存儲芯片PRAM，現(xiàn)在的ReRAM產(chǎn)品應(yīng)該是“索尼研制”和“Micron制造”的共同成果?！?/p>