十一采購秘籍！三大品牌內存編號揭秘
國慶節(jié)到嘍
作為平時忙忙碌碌的DIYer，今天總算能抽出點時間去一趟向往已久的電腦城逛逛了吧，買上幾個超值的配件升級一下自己的愛機，回去好玩自己早就“虎視眈眈”的游戲。
在眾多升級電腦的朋友當中，我想升級內存的一定占了大多數(shù)，因為去年的內存價格實在太高，往往使裝機用戶沒有足夠的資金為愛機配備滿意的內存。嗯，提到買內存，我們不得不提到內存顆粒，提到內存顆粒我們又不得不提到它的編號，對內存編號有個較明確的了解才能不被JS忽悠，因此，筆者在十一國慶到來之際，對現(xiàn)代、三星、英飛凌這三大品牌內存顆粒的編號進行了較為詳細的分解，希望能給朋友們在十一采購的時候帶來幫助。
乘著放假買內存去^o^
說明一下，由于目前市場上銷售的內存，基本上是采用三星、現(xiàn)代和英飛凌的內存顆粒，所以筆者之對這三個品牌內存顆粒的編號進行分解，還有諸如華邦、美光等品牌由于市場上并不多，這里就不介紹了，還請各位看官海涵。
那么，下面，我們就開始吧……
三星DDR內存顆粒的編號共分為四段數(shù)字或字母，19個部分組成。請看下面的三星內存編號示意圖，圖中有A、B、CDE和F為四段數(shù)字或字母，而19部分則是指包含在A、B、CDE和F四段數(shù)字或字母組成的編號，主要對內存規(guī)格進行說明。下面，就給大家分別解釋。
首先來解釋一下四段號碼的大概含義。
A部分我想不用解釋了吧，標明的是生產企業(yè)的名稱——SAMSUNG。
B部分說明的是該內存模組的生產日期，以三個阿拉伯數(shù)字的形式表現(xiàn)。其中第一個阿拉伯數(shù)字表明，生產的年份，后面兩位數(shù)字表明是在該年的第XX周生產的。例如，上圖中的446就該表示該模組是在04年的第46周生產的。如果三位數(shù)字是532，則表明該內存模組是05年第32周生產的。
C部分說明的是該內存的封裝類型，由一個英文字母表示。該部分將分別以T、U、N、V、G、Z幾個字母來代表不同的封裝類型。其中T代表是TSOP2封裝，U表示TOSP2（Lead-Free）封裝，N表示sTSOP2封裝，V表示sTOSP2（Lead-Free）封裝，G表示FBGA封裝，Z表示FBGA（Lead-Free）封裝。
D部分說明是該內存模組的工作溫度與功耗，由一個英文字母表示。該部分將以C和L兩個字母來表示該內存顆粒的不同工作溫度與功耗。其中C表示該內存模組為大眾商用型內存，普通功耗，工作溫度在0 °C~70 °C之間；L表示該內存模組也屬于大眾商業(yè)型，但卻是低功耗，工作溫度也在0 °C~70 °C之間。這部分標注為L的模組，在筆記本內存中比較常見。
E部分說明的是該內存模組的頻率和各項延遲（即CL-tRCD-tRP），由兩個英文字母或數(shù)字組成。該部分分別以A0、B0、A2、B3和CC這五個字母/數(shù)字組合來代表不同頻率和延遲的DDR內存模組。其中，A0代表該模組的工作做頻率為DDR-200（100MHz），延遲為2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延遲為2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延遲為2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延遲為2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延遲為3-3-3。
F部分實際上是由8個小部分組成的，分別表示該內存模組的類型、容量、位寬、接口類型、工作電壓等等內容。詳細分解請看下一頁。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
圖一
為了方便大家更好的理解編號中的含義，大家可以將表中標明的1-8個部分根據(jù)圖中的內存編號對號入座。
第1部分用“K”表示的是內存，只要是三星內存，這部分永遠都是“K”。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
第2部分表示內存的類別，由一個數(shù)字或者字母組成。“4”表示的是DRAM；
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
第3部分表示的是內存的子類別，由字母“T”或“H”組成。“T”代表的是DDR2內存，“H”代表的是DDR內存。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
第4部分表示的是內存的容量，由兩個數(shù)字或者字母組成。根據(jù)容量的不同，該部分會出現(xiàn)“28”、“51”、“1G、“2G”、“4G”這5個組合，其中“28”代表128MB，“51”代表512MB，“1G”代表1GB，“2G”代表2GB，“4G”代表4GB。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
第5部分表示的是內存顆粒的位寬，由兩連個數(shù)字組成。根據(jù)顆粒位寬不同，該部分會出現(xiàn)“04”、“08”和“16”三個組合。其中“4”表示是該顆粒只有4bit位寬，“08”表示該顆粒有8bit位寬，“16”則表示有16bit位寬。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
第6部分代表的是邏輯bank數(shù)，由一個數(shù)字組成。3表示4 bank，4表示8 bank。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
第7部分代表的是接口類型與工作電壓，由一個數(shù)字或字母組成。“8”表示接口類型為SSTL_2，工作電壓為2.5V；“Q”表示接口類型為SSTL，工作電壓為1.8V。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
第8部分代表產品的版本，由一個字母組成，并且，該處的字母在字母表中的位置越靠后，說明該內存顆粒的版本越新。到目前為止，三星內存顆粒一共有9個版本，分別以“M、A、B、C、D、E、F、G、H”9個字母表示，其中M代表第1版產品，而A-H則依次代表第2-9版。
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K | 4 | X | XX | XX | X | X | X |
根據(jù)以上我們對三星內存編號的了解，我們就能夠知道圖一中的內存顆粒的相關信息：256MB容量，8bit位寬，4bank，SSTL_2接口，2.5V工作電壓，第六版，生產與05年第16周，TOSP2封裝，大眾商用型，普通功耗，工作溫度在0 °C~70 °C之間，工作頻率為200MHz（DDR400），延遲為3-3-3。
現(xiàn)代內存顆粒的編號也是由四段字母或數(shù)字組成，具體分布請看下圖。A、B四部分的含義與三星內存顆粒編號的含義相同，分別表示該內存顆粒的生產企業(yè)及生產日期。C、D部分所包含的內容主要是指內存的相關規(guī)格。接下來我們就詳細分解。
A部分不用多說，鐵定都是Hynix的LOGO。
B部分是生產日期，由三個數(shù)字和一個字母組成，和三星內存顆粒的編號一樣，第一個數(shù)字表示生產年份，后兩位數(shù)字表示在該年的第XX周生產。最后的字母，由于在官方文件中沒有解釋，筆者也未弄明白。
C部分也是表示該內存顆粒的頻率、延遲參數(shù)。由1-3位字母和數(shù)字共同組成。根據(jù)頻率、延遲參數(shù)不同，分別用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個字母/數(shù)字組合來表示。
其中：
“D5”代表DDR500（250MHz），延遲為3-4-4；
“D43”代表DDR433（216MHz），延遲為3-3-3；
“D4”代表DDR400（200MHz），延遲為3-4-4；
“J”代表DDR333（166MHz），延遲為2.5-3-3；
“M”代表DDR266（133MHz），延遲為2-2-2；
“K”代表DDR266A（133MHz），延遲為2-3-3；
“H”代表DDR266B（133MHz），延遲為2.5-3-3；
“L”代表DDR200（100MHz），延遲為2-2-2。
補充：緊接這C部分的數(shù)字后面，實際上還有一個編號，只是這個編號一般并沒有被標示出來。他用來表示內存顆粒的工作溫度和應用等級。用“Bank、I、E”來表示不同的工作溫度和應用等級，其中：
“Blank”代表商業(yè)型，工作溫度在0 °C~70 °C之間；
“E”代表增強型，工作溫度在-25°C~85 °C之間；
“I”代表工業(yè)型，工作溫度在-40°C~85 °C之間。
D部分與三星內存顆粒的編號的F部分一樣代表著較多的內容，詳細拆解請看下一頁。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第1部分代表該顆粒的生產企業(yè)。“HY”是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產品。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第2部分代表產品家族，由兩位數(shù)字或字母組成，DDR內存由“5D”來代表，SDRAM用“57”來代表。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第3部分代表工作電壓，由一個字母組成。由“V、U、W、S”來分別代表不同的工作電壓。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
其中：
V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；
U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；
W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；
S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）。
第4部分代表內存模組的容量和刷新設置，由兩位數(shù)字或字母組成。對于DDR內存，分別由“64、66、28、56、57、12、1G”來代表不同的容量和刷新設置。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
其中：
64代表64MB容量，4K刷新；
66代表64MB容量，2K刷新；
28代表128MB容量，4K刷新；
56代表256MB容量，8K刷新；
57代表256MB容量，4K刷新；
12代表512MB容量，8K刷新；
1G代表1GB容量，8K刷新。
第5部分代表該內存顆粒的位寬，由1個或2個數(shù)字組成。分為4種情況，分別用“4、8、16、32”來代表4bit、8bit、16bit和32bit。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第6部分表示的是Bank數(shù)，由1個數(shù)字組成。有三種情況，分別是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第7部分代表接口類型，由一個數(shù)字組成。分為三種情況，分別是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第8部分代表該顆粒的版本，由一個字母組成。與三星顆粒的編號相同，這部分的字母在字母表中的位置越靠后，說明該內存顆粒的版本越新，目前為止HY內存共有5個版本，表現(xiàn)在編號上，則是空白表示第一版，“A”表示第二版，依次類推，到第5版則有“D”來代表。購買內存的時候，版本越新電器性能越好。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第9部分代表的是功耗，如果該部分是空白，則說明該顆粒的功耗為普通，如果該部分出現(xiàn)了“L”字母，則代表該內存顆粒為低功耗。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第10部分代表內存的封裝類型，由一個或兩個字母組成。由“T”代表TOSP封裝，“Q”代表LOFP封裝，“F”代表FBGA封裝，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封裝。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第11部分代表堆疊封裝，由一個或兩個字母組成?？瞻状砥胀ǎ籗代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第12部分代表封裝材料，由一個字母組成?？瞻妆硎酒胀?，“P”代表鉛，“H”代表鹵素，“R”代表鉛和鹵素。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
由前面我們對現(xiàn)代內存顆粒編號的拆解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實最終我們只需要記住第2、3、6和C部分等幾處數(shù)字的實際含義，就能輕松實現(xiàn)對使用現(xiàn)代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是C部分數(shù)字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態(tài)是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那么就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。
有人將Infineon稱為西門子（Siemens），這是因為英飛凌的前身是西門子半導體公司，在SDRAM時代，我們經?？吹絊iemens字樣的內存，但如今Infineon早已從西門子公司中獨立出來。英飛凌（infienon）內存顆粒的編號也大致分為四段，其所表達的內容也大致與前面的現(xiàn)代和三星相同，也基本上是生產企業(yè)、生產日期及規(guī)格三大部分。在生產日期上，infienon內存也是采用“年份+第XX周”的表達方式，圖中的B部分就是表示該內存顆粒的生產日期，由4個數(shù)字組成，前兩個數(shù)字表示年份，后兩個數(shù)字表示第XX周。例如圖中的“0322”，就說明該內存顆粒時2003年第22周生產。
同樣重要的是C和D部分，內存的總要參數(shù)和規(guī)格都在這兩個部分。C部分表明的是該內存顆粒的性能，即內存的時鐘周期和延遲。其中“3”表示3.0ns，也即工作頻率為333MHz（DDR2 667），延遲4-4-4；“3.7”表示時鐘周期為3.7ns，即工作頻率為266MHz（DDR2 533），延遲4-4-4；“5”表示時鐘周期為5ns，即工作頻率為200MHz（DDR400），延遲3-3-3；“6”表示時鐘周期為6ns，即工作頻率為166MHz，延時2.5-3-3；“7”表示時鐘周期為7ns，工作頻率為133MHz（DDR266A/PC133），延時2-3-3（DDR266A）/2-2-2（PC133）；“7F”表示時鐘周期也為7.0ns，工作頻率也為133MHz（DDR266）但延時有所提高，為2-2-2。“8”表示時鐘周期為8ns，工作頻率為100MHz（DDR200/PC100），延時都為2-2-2。
解釋完C部分的重要內容后，讓我們來看看D部分的重要內容，請大家翻到下一頁。
D部分內容由8個小部分組成，所傳達的信息和前面的三星、現(xiàn)代基本一致，包括容量、位寬、工作電壓等等信息。下面就根據(jù)下表來逐一說明各部分的含義。1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第1部分的“HYB”是所有英飛凌內存都會有的，因為這三個字母代表該內存顆粒是由英飛凌制造。
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第2部分代表工作電壓，由兩位數(shù)字組成。“39”代表3.3V，“25”代表5V，“18”代表1.8V。
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第3部分代表內存類型，由1位字母組成。“S”代表該內存為SDRAM，“D”代表該內存為DDR，“T”則代表DDR2。
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第4部分代表容量，由3位數(shù)字組成。分別由“128”、“256”、“512”、“1G”代表128MB、256MB、512MB、1GB容量。
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第5部分代表單顆顆粒的位寬，由兩個數(shù)字組成。“40”代表4bit，“80”代表8bit，“16”代表16bit。
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HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第6部分代表產品登記，“0”表示標準產品。
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第7部分代表產品版本號，由1個字母組成。和現(xiàn)代和三星一樣，字母在字母表中順序越靠后，說明內存的版本越新。
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
第8部分代表封裝類型，由1個字母組成。“C”表示FBGA（含鉛）封裝；“T”表示TSOP 400mil（含鉛）封裝；E表示TOSP 400 mil（無鉛無鹵）封裝；G表示堆疊TSOP（無鉛無鹵）封裝。
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
HYB | XX | X | XXX | XX | X | X | X |
金泰克 512MB DDR400
首先，我們購買內存要看自己的腰包和鑒別內存真?zhèn)蔚乃?，或者在市場有熟人（要特別鐵的那種）。如果你認為自己在資金上沒有問題，可以選擇品牌內存，比如海盜旗、威剛、超勝等等知名品牌。如果你的資金不太充足，又有足夠的鑒別真?zhèn)文芰Φ脑?，OK，現(xiàn)代散裝內存是最好選擇。如果資金有限，但水平又不夠的話，筆者覺得，多花些錢買個放心是最好的選擇，因為，知名品牌內存與散裝內存的差價并不大。
威剛DDR400 256MB內存
從內存顆粒上的選擇來看，如果你想要購買采用現(xiàn)代顆粒的DDR400內存條，那么其編號最好是“HYXXXXXXXDX”，對于DDR400內存來說編號的尾數(shù)最好是“D43”，因為“D”代表的是最新版的現(xiàn)代DDR內存顆粒，在超頻方面有非常好的表現(xiàn)（事實證明也的確如此）。而“D43”所代表的是216MHz的工作頻率，將其運用在DDR400內存中，實際上是將“D43”降頻為“D4”使用，具有很強的超頻能力。
金士頓 512MB DDR400內存
對于選購三星內存的朋友來說，同樣要注意版本和編號的尾數(shù)，版本越新電器性能越好，超頻能力越好。例如，三星尾數(shù)為TCCC的內存顆粒，就是公認好超頻的內存顆粒。判別版本是否最新，大家可以根據(jù)編號中表示版本號的字母來鑒別，字母在字母表中越靠后，版本越新。
散裝現(xiàn)代256MB DDR400兼容條
英飛凌的內存很多人多說超頻性能好，但具體是哪款顆粒，并沒有統(tǒng)一的看法，但總的原則與前面的一樣——盡量選擇采用新版本顆粒的內存。
還有就是容量了，一句話，512MB DDR400和DDR2 533內存是現(xiàn)在最值得買的內存，因為價格便宜量又足嘛。<
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