臺(tái)積電極速?zèng)_向7nm：Intel都快急死了
在半導(dǎo)體行業(yè)，誰搶先掌握了非常先進(jìn)的制造工藝，誰就可以呼風(fēng)喚雨，而在技術(shù)日益復(fù)雜、摩爾定律幾近失效的今天，先進(jìn)工藝的重要性就愈發(fā)凸顯，Intel這樣的大拿也有些吃不消，22nm、14nm接連掉鏈子。
臺(tái)積電其實(shí)也不是很順利，40nm、28nm時(shí)代就兩次嚴(yán)重滯后，20nm又一門心思為蘋果服務(wù)，接下來的16nm完全被三星14nm搶走了風(fēng)頭，但是對于未來，臺(tái)積電又畫了一張大餅。
臺(tái)積電總裁兼聯(lián)合CEO Mark Liu近日透露：“我們的10nm工藝開發(fā)最近進(jìn)展非常令人激動(dòng)，也符合我們的計(jì)劃。技術(shù)性風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)定于今年年底，后續(xù)就會(huì)有大量客戶產(chǎn)品的驗(yàn)證。批量生產(chǎn)將從2016年底開始?！?/p>
要知道，臺(tái)積電16nm也才剛剛邁入量產(chǎn)的門檻，而且要到第四季度才會(huì)提上規(guī)模，即便如此蘋果A9的訂單也被三星搶走了30％。
按照臺(tái)積電一貫的說法和做法，10nm真正量產(chǎn)至少要到2017年第一季度。事實(shí)上臺(tái)積電另一位總裁兼聯(lián)合CEO C.C. Wei隨后就補(bǔ)充說：“我們將在2016年第四季度投產(chǎn)10nm，不過真正的產(chǎn)品出貨會(huì)在2017年第一季度?！?/p>
不過這也基本能保證領(lǐng)先于Intel，后者的10nm平臺(tái)原計(jì)劃在2016年第二季度推出，但已經(jīng)大大推遲，雖無明確時(shí)間但肯定得到2017年第二季度了。
臺(tái)積電表示，相比于現(xiàn)在的16nm FinFET+，10nm FinFET (CLN10FF)工藝能將晶體管密度提高110-120％，同等功耗下頻率提升15％，同等頻率下功耗降低35％。
更進(jìn)一步地，臺(tái)積電計(jì)劃在2018年的某個(gè)時(shí)候投產(chǎn)7nm，如能實(shí)現(xiàn)將徹底領(lǐng)先Intel，后者的7nm還沒時(shí)間表，但照現(xiàn)在這個(gè)樣子，怎么也得2019年了。
當(dāng)然，IBM更猛，已經(jīng)造出了7nm試驗(yàn)芯片，但投產(chǎn)時(shí)間未定，三星、GlobalFoundries將從中獲益匪淺?！?/p>
關(guān)注我們
