東芝/閃迪年底出BiCS 3D閃存 48層堆棧
全球四大NAND豪門中，三星早在2年前就率先量產(chǎn)了3D閃存，他們的V-NAND閃存已經(jīng)出了2代了，隨后的是Intel、美光系，雙方的3D NAND閃存今年也要量產(chǎn)了，SK Hynix的3D閃存今年也要量產(chǎn)?，F(xiàn)在東芝、閃迪系的3D NAND閃存也跟進(jìn)了，晶圓廠的生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)安裝，今年下半年開始試產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品2016年出貨。
雖然都是3D堆棧閃存，不過幾家廠商所用的技術(shù)并不完全相同，東芝、閃迪聯(lián)合研發(fā)的3D閃存叫做BiCS 3D NAND（Bit Cost Scaling），堆棧層數(shù)達(dá)到了48層，核心容量為128Gb，而三星第一代V-NAND堆棧層數(shù)才24層，目前的第二代是32層堆棧，Intel、美光的3D NAND也是32層堆棧，不過他們的核心容量是256Gb，TLC類型則可以做到384Gb核心。
除了堆棧層數(shù)最多之外，東芝、閃迪的BiCS 3D閃存號稱在所有3D閃存芯片中核心面積最小，這一點(diǎn)倒一直是東芝/閃迪閃存的優(yōu)點(diǎn)，15nm的平面NAND中東芝閃存也是核心面積最小的。
東芝、閃迪去年就宣布了新一代NAND晶圓廠的建設(shè)，日本四日市的Fab 5一期、二期工廠主要生產(chǎn)15nm工藝，都已經(jīng)投產(chǎn)，新建的Fab 2工廠則面向3D閃存，經(jīng)過一年的建設(shè)現(xiàn)在已經(jīng)開始安裝3D閃存生產(chǎn)設(shè)備，預(yù)計(jì)今年下半年開始初步生產(chǎn)并出樣，2016年初3D閃存正式出貨?！?/p>
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