超頻要用腦子 A64內(nèi)存參數(shù)設(shè)定指南！
要徹底炸干Althon 64系統(tǒng)的性能，光超頻是不夠的，由于A64在CPU內(nèi)部集成了內(nèi)存控制器，因此內(nèi)存參數(shù)的設(shè)定對性能的影響很大。而很多主板提供的設(shè)置項目不僅僅是CAS/tRCD/tRP/tRAS這四個婦孺皆知的參數(shù)，那么其他的參數(shù)具體應(yīng)該如何設(shè)定呢？
深受玩家推崇的DFI主板在BIOS中就提供了相當(dāng)多的參數(shù)，這讓人感到一頭霧水，除了四項基本參數(shù)之外，其他設(shè)置很多人都不敢亂動。其實DFI BIOS中的這些參數(shù)和A64 tweaker這款軟件基本相同，下面就通過軟件詳細(xì)分析下：
簡單來說，左邊一欄的參數(shù)越小性能越好，而右邊的則視情況而定，越大穩(wěn)定性好些。
以Gskill LE 512*2雙通道為例，現(xiàn)在已經(jīng)超到了292*11，內(nèi)存電壓2.47V，這是廣大玩家們追求的優(yōu)品配置了。
左邊第一個紅框：TRC和TRFC對內(nèi)存的性能影響很大，TRC A64tweaker的值是在7-22，一般內(nèi)存頻率越高就越難設(shè)定在9以下，非常好的值為7-8；TRFC調(diào)節(jié)范圍9-24，一般250MHz就要設(shè)定在11以上了，非常好的值10-13。
左邊第二個紅框：TWR/TWTR/TRTW/TREF都是有關(guān)整體帶寬的部分。TWR只有2和3可選，通常都是設(shè)2；TWTR取決于內(nèi)存體質(zhì)，BH5在270MHz下都能設(shè)為1，TCCD因為要沖刺高頻率，300MHz保險點設(shè)2，設(shè)1也不是沒可能；TRTW可調(diào)1-6，7/8是保留值不推薦，一般設(shè)2-4。所以這三項的非常好的值為2-1-2。
右邊兩個紅框：MAL根據(jù)內(nèi)存的頻率設(shè)定，250-270MHz就設(shè)5-6ns，270以上設(shè)7-9ns不等。頻率越高就要設(shè)越慢，好的內(nèi)存300MHz應(yīng)該能跑8ns甚至7ns；ICL設(shè)0-256clk都行，影響不大。
右邊兩個藍(lán)框：如果跑3D比較多，那么RMQB設(shè)為16x、Bypass max為7x比較好，性能會有提高，不過普通內(nèi)存沒啥差別。
一般大多數(shù)用戶都無福享用優(yōu)品內(nèi)存，所以下面給出一張大眾化的現(xiàn)代D43\\D5內(nèi)存設(shè)定圖：
D43/D5內(nèi)存性價比很高，一般正規(guī)渠道代理的散裝現(xiàn)代內(nèi)存都采用D43顆粒，而D43/D5也被眾多內(nèi)存廠商所采用，比如大家最熟悉的金士頓和現(xiàn)代原廠內(nèi)存條。D43大都能上250MHz，而品質(zhì)好點的D43和D5最高能上到270MHz，這種內(nèi)存上高頻參數(shù)不能設(shè)太低。
要沖刺高頻率，CL值和Max async latency的設(shè)定都要稍大一些，這個當(dāng)然要在BIOS中調(diào)節(jié)（要不然根本無法啟動系統(tǒng)）。圖中CL為2.5，你可以設(shè)為3，在BIOS中找到Max async latency選項設(shè)為10ns。
A64tweaker中的選項，DFI主板BIOS基本都有，有些可能名稱略有不同。另外DFI BIOS當(dāng)中還有Dram Drive strength/DRAM Data Drive strength的選項，一般的主板都省略了設(shè)為保守的4級。其實這里設(shè)定值越高進(jìn)系統(tǒng)之后越穩(wěn)定，而設(shè)定越低跑MEMTEST86+越穩(wěn)定。一般設(shè)定為7/3或8/2以增強穩(wěn)定性。
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