Intel 3D XPoint閃存速度堪比內(nèi)存！
在IDF會議前夕，Intel聯(lián)合美光發(fā)布了革命性的3D XPoint閃存，號稱速度、耐用性是目前閃存的1000倍。根據(jù)Intel所說，未來3D XPoint閃存制造的產(chǎn)品速度遠高于PCI-E、SATA接口的SSD，每通道6GB/s的帶寬更接近內(nèi)存。
3D XPoint閃存發(fā)布之初，Intel就提到了這種閃存既可以做NAND閃存，也具備做DRAM內(nèi)存的潛力，它實際上模糊了內(nèi)存與閃存之間的界限。此前的IDF會議上，Intel就在同時開發(fā)不同類型的3D XPoint產(chǎn)品，其中基于PCI-E接口的Optane硬盤速度可達目前優(yōu)異SSD的5-7倍，而DIMM類型的3D XPoint閃存成本只有DDR內(nèi)存的1/2，容量則是其4倍，而且是非易失性的。
在IDF會議上，Intel也闡述了3D XPoint閃存的未來用途，Intel將存儲系統(tǒng)分為熱（Hot）、暖（Warm）及Cold（冷）三個層次，性能逐級降低，但容量逐級升高，成本更低。3D XPoint閃存發(fā)揮作用的地方就在熱、暖兩個層級上，其中熱層的3D XPoint閃存有DIMM及SSD兩種規(guī)格，前者每通道帶寬可達6GB/s，延遲250ns，后者通常使用PCI-E 3.0 x4通道，帶寬3.2GB/s，延遲低于10ms，而暖層的3D NAND閃存SSD延遲使通常使用PCI-E 3.0 x4/x2接口，延遲在100ms級別，最底層的則是SATA 6Gbps接口的3D NAND硬盤或者HDD，更注重成本。
綜上所述，未來3D XPoint閃存的存儲產(chǎn)品有DIMM及SSD兩種類型，前者的帶寬遠高于目前的PCI-E或者SATA接口設(shè)備，更接近上一層級中每通道帶寬10GB/s的DRAM內(nèi)存。
Intel會首先在服務(wù)器產(chǎn)品上使用3DX Point技術(shù)，未來服務(wù)器產(chǎn)品上的非易失性存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如上圖所示，3D XPoint技術(shù)制造的NVDIMM及3D XPoint技術(shù)的SSD都是直接與CPU連接，充當DRAM內(nèi)存與南橋連接的存儲設(shè)備的中間級?！?/p>
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