DDR4對比DDR3實測：完美的內(nèi)存繼任者
關(guān)鍵指標(biāo)中，容量、速度和時序是常被提及的參數(shù)，速度普遍意義上被認為是內(nèi)存帶寬。
Intel第六代酷睿Skylake處理器發(fā)布后，帶來了對DDR4的全面支持。雖然DDR4內(nèi)存正在降價的曲線上，但相信不少消費者仍有疑慮，究竟DDR4有了多大的提升呢？
對此，TechSpot收集了四代Intel處理器，和多個頻率的DDR3、DDR4內(nèi)存進行了實測，結(jié)果還是相當(dāng)具有代表性的。
參測的處理器分別是Intel Ivy Bridge-E（四通道DDR3）、Haswell（雙通道DDR3）、Haswell-E（四通道DDR4）以及Skylake（雙通道DDR4），使用的軟件是大名鼎鼎的AIDA64。
首先來看看這些不同頻率的參數(shù)，這里列出了頻率和時序。
大家有沒有發(fā)現(xiàn)DDR4內(nèi)存在頻率超過3333MHz時，時序竟然不是線性增長了，而是出現(xiàn)了跳躍，這點倒存在繼續(xù)改善的空間。
讀取速度
結(jié)果還是很明顯的，時序問題并沒有給DDR4帶來很多困擾，讀取速度非常優(yōu)秀，隨頻率提升明顯。早期DDR3之于DDR2的悲劇沒有重演。
有三點值得注意，一是Haswell在DDR3內(nèi)存頻率超過2400MHz時，速度驟減，成為“性能黑洞”。
二是Skylake雙通道DDR4-3000的讀取速度已和Ivy Bridge-E默認四通道DDR3-1600持平。
最后是Skylake下，DDR4內(nèi)存帶寬隨頻率穩(wěn)定地增長，至少在3600MHz時還遠看不到“天花板”。
寫入速度
比較詭異的是Haswell-E，任憑怎么加頻率，內(nèi)存速度總穩(wěn)定保持在48000MB/s，Skylake下的DDR4依舊保持著一流水準(zhǔn)。
復(fù)制速度
和讀取的曲線如出一轍，Haswell“性能黑洞”再次出現(xiàn)。
延遲
不少人批評或者擔(dān)憂DDR4就是考慮延遲增加，但究竟有多大的影響呢？
從雙通道的兩個曲線，也就是主流用戶接觸的這兩個平臺來看，DDR3在1600MHz的入門頻率上的延遲和DDR4的入門頻率2133MHz幾乎一致。DDR4確實帶來了時序問題，但絕非“災(zāi)難性”。
結(jié)論
DDR4并沒有重現(xiàn)DDR2進入DDR3早期時的延遲“事故”，反而因為Intel和廠商的優(yōu)化，速度完爆DDR3。
同時我們還不要忘了，DDR4功耗更低、發(fā)熱更小、容量更大，隨著價格繼續(xù)下探，絕對是一個合格的繼任者。 ■
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