AMD最優(yōu)異GPU核心透視：HBM秘密在此
雖說目前的消息是，AMD和NVIDIA明年的主流級別的顯卡會使用GDDR5X，也就是美光獨家的通過提高預(yù)取數(shù)據(jù)位寬（從8位提升到了16位）的方法來提升帶寬，突破目前GDDR5的瓶頸，但旗艦高端產(chǎn)品必然還是使用HBM。
AMD已經(jīng)拿出的三款Fiji核心的顯卡Fury\\Fury X\\R9 Nano，都是使用的一代HBM，由AMD傾盡8年心血和SK海力士聯(lián)合打造，第一次就帶來了512GB/s的帶寬、4096bit超高位寬。
近日，Chipworks也把自己對Fiji核心的X光透視拿了出來，F(xiàn)iji XT這顆核心的“內(nèi)在美”首次展現(xiàn)在我們面前。
根據(jù)官方資料，F(xiàn)iji面積為596平方毫米，是AMD迄今造出來的最龐大GPU。
和Tonga一比大小一目了然。因為是一代HBM，所以集成了4顆HBM顯存，每一顆都采用四層Die進(jìn)行堆疊，每個Die的容量為2Gb(256MB)，因此每顆容量為1GB、1024bit內(nèi)存控制器，總的顯存容量就是4GB、位寬4096。
不同于GDDR5是“蓋平方”，3D堆疊的HBM可以理解為“蓋樓房”。這也是整個HBM最大難點，即如何實現(xiàn)內(nèi)存控制體系的互聯(lián)。
HBM顯存所采用的TSV（硅穿孔）技術(shù)本質(zhì)上就是在保證結(jié)構(gòu)強度的前提下在芯片（硅）上直接垂直通孔。通孔過程看似簡單，但技術(shù)層面的進(jìn)展一直相當(dāng)不順利。無論存儲還是邏輯芯片的結(jié)構(gòu)及加工過程都相當(dāng)復(fù)雜，這注定了芯片本身的脆弱性，想要在不影響芯片強度以及完整性的前提下在一塊DRAM顆粒上打洞，而且是不止一個的孔洞，這件事兒的具體技術(shù)細(xì)節(jié)根本無需討論，光是想想就已經(jīng)很難了。
這種垂直互聯(lián)不僅距離更短而且延遲更低，這是HBM顯存的一大優(yōu)勢。
現(xiàn)在希望的就是除了海力士，三星也能加快量產(chǎn)HBM，明年再升級顯卡是這將成為一個更為重要的參考因素?！?/p>
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