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華碩 A8N32-SLI八項(xiàng)豪華供電模塊探秘

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    華碩A8N32-SLI DELUXE這款主板的推出給人們帶來的不僅僅是雙16X等眾多完善的功能配置及其強(qiáng)大的性能,更獨(dú)特的是比較獨(dú)特的采用了多達(dá)八項(xiàng)的CPU供電模塊,而且八項(xiàng)供電回路全部集成在CPU插座周圍,令人嘆為觀止!

 

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橫豎兩列分布的八項(xiàng)供電設(shè)計(jì)

 

    目前主流的NF4平臺(tái)最常見的就是三項(xiàng)供電回路,四項(xiàng)比較少見,一般多用于Intel 875/925/955等芯片組上。此前技嘉曾推出過獨(dú)有的插卡式DPS供電方案,通過額外的升級(jí)模塊達(dá)到3+3的六項(xiàng)或者4+4的八項(xiàng)供電方案:

 

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    這種方案最初被認(rèn)為是非常BT的設(shè)計(jì),八項(xiàng)供電用得著嗎?

 

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三款A(yù)8N-SLI系列主板均為三項(xiàng)供電

 

    華碩上一代產(chǎn)品A8N-SLI主板使用了標(biāo)準(zhǔn)的三項(xiàng)供電,而在新款A8N32-SLI上面一舉將供電模塊提升至八項(xiàng),而且并非使用了技嘉那種升級(jí)方案,直接主板集成八項(xiàng)回路。這不禁讓人感到懷疑?真的是八項(xiàng)供電嗎?

 

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    大多數(shù)人分辨供電模塊的項(xiàng)數(shù)是通過觀察電感來判斷的,例如上圖乍一看還以為是四項(xiàng)供電,其實(shí)很多時(shí)候都有并聯(lián)多個(gè)電感或者多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的情況發(fā)生,因此實(shí)際上上圖所示僅為兩項(xiàng)供電。另外主板供電模塊當(dāng)中的一級(jí)電桿線圈也在附近,大多時(shí)候類型與多項(xiàng)回路中的電感有所區(qū)別,如上圖中為立式電感線圈。因此對(duì)于板型設(shè)計(jì)出色、元件排列均勻的主板傳統(tǒng)方法已不再適用。

 

    既然是兩項(xiàng)供電,何必使用這么多元件呢?似乎有點(diǎn)浪費(fèi)了。那么看上去八項(xiàng)供電設(shè)計(jì)的華碩A8N32-SLI到底是幾項(xiàng)供電呢?

 

 

    CPU核心供電VRM(Voltage Regulation Module,電源調(diào)整模塊)使用多項(xiàng)設(shè)計(jì)是目前的一種潮流,三項(xiàng)供電已經(jīng)習(xí)以為常,可以說是標(biāo)準(zhǔn)配置,而四項(xiàng)供電則是主流。那么到底何為“項(xiàng)”的定義呢?下面先作一個(gè)簡(jiǎn)單的說明:

 

    單相降壓(Bulk)系統(tǒng)簡(jiǎn)圖如下:

 

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    可以看到一個(gè)高端場(chǎng)效應(yīng)管High side MOSFET(Q1)跟低端場(chǎng)效應(yīng)管Low side MOSFET(Q2),一個(gè)輸出電感(L)以及一個(gè)輸出電容(C),這樣構(gòu)成了最簡(jiǎn)單的單相交換式降壓電路。主板上面最基本單項(xiàng)回路構(gòu)成就是一個(gè)電感、一個(gè)電容再加上兩個(gè)MOS管。

 

    各端點(diǎn)波形如下:

 

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    可以看出單相電路于電感端輸出電壓及波形會(huì)隨著每相ON-OFF交換而變動(dòng),這時(shí)就需要電容、電感儲(chǔ)能來于截止時(shí)釋放能量,所以當(dāng)負(fù)載增大時(shí),便需要更大的電感器以及更多的電容器,以儲(chǔ)存更多能量。

 

    而且為了改善瞬時(shí)響應(yīng),必須提升交換頻率,但過度提升交換頻率代表需要使用高速開關(guān)組件,然而MOSFET管的高速特性并不優(yōu)異,所以會(huì)導(dǎo)致切換效率的下降,進(jìn)而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率不佳。

 

    High side MOSFET必須承受導(dǎo)通時(shí)負(fù)載所需電流,Low side MOSFET于截止時(shí)承受電容電感釋放儲(chǔ)能的能量,為了得到更大輸出時(shí)也需使用更大容量的產(chǎn)品,不僅發(fā)熱量高,成本也增加不少。

 

    這就是大電流應(yīng)用場(chǎng)合,多相位式設(shè)計(jì)流行的原因。

 

    下圖為二相降壓系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖:

 

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    可以看到兩組單相電路輸出并聯(lián),但光只是電路并聯(lián)并沒有用,控制波形也要進(jìn)行相位偏移動(dòng)作,讓兩組電路交互動(dòng)作,波形特性如下:

 

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    由波形看到,兩組電路因?yàn)橄辔黄?,使輸出波形得以重迭,就像一組以兩倍頻率運(yùn)作的電路,所以多相電路,可以以較低的交換頻率,各相累加后總交換頻率也可以提高。

 

通過以上的分析可以整理出多相式VRM具有以下的優(yōu)點(diǎn):

 

1.因?yàn)檩敵鲭娏鞣峙渲粮飨辔?,所以每?duì)HS/LS MOSFET所承載的電流會(huì)比較小。

2.因?yàn)?/SPAN>MOSFET電流降低,導(dǎo)通時(shí)散發(fā)的熱量變少,且散布到各相區(qū)域,所以熱密度較小,散熱問題比較簡(jiǎn)單。

3.流過每相電感的電流變少,所以可選擇飽和電流以及有效電流較低的產(chǎn)品,降低成本。

4.總漣波電流因?yàn)橄鄶?shù)增加的關(guān)系,每個(gè)相位的漣波電流較低,輸出電容的數(shù)目得以減少。

5.因?yàn)榭傒敵鲱l率 = 單一相位交換頻率 * 相位數(shù),較高的輸出頻率使得瞬時(shí)響應(yīng)也獲得了改善。

6.因?yàn)楦飨嚯娏鳒p小,每相MOSFET數(shù)目減少,可簡(jiǎn)化MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)能力的問題。

 

然而采用多相位輸出主要難處在于如何去平衡每個(gè)相位的電流,假設(shè)電流平衡做的不好,在大電流輸出的相位將依電流平方的比例產(chǎn)生功率消耗,不僅導(dǎo)致過熱,并造成VRM效率降低。

 

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  八個(gè)密封式電感,六個(gè)電容

 

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揭開散熱片可以看到,每個(gè)電感都搭配兩個(gè)MOS

 

    上面使用了ADI產(chǎn)制的ADP3186 5BIT可程序化2/3/4相同步式降壓式交換電路控制器,還有ADG333A四路SPDT(單刀雙擲)電子開關(guān),因?yàn)殡娮娱_關(guān)在一般多相式VRM中是不需要的,加上僅有單顆4相控制器,故推測(cè)是否利用四相控制器及電子開關(guān),采用A/B切換式運(yùn)作,以四個(gè)一組方式來交替運(yùn)轉(zhuǎn)。

 

    就八相供電而言,使用多相控制器(IR X-PHASE架構(gòu))直接控制,或是使用兩個(gè)四相控制器連結(jié),采一主一副方式來達(dá)成,是比較常見的架構(gòu)。而ASUS僅使用單顆四相控制達(dá)成,是極具創(chuàng)新的做法,但只要能符合VRM 10規(guī)范,并滿足AMD規(guī)定的瞬時(shí)響應(yīng)要求,都是滿足要求的。

 

    經(jīng)過專業(yè)儀器測(cè)量后,波形明確表示出該電源電路的運(yùn)作方式,以下圖形是以太克四信道數(shù)字示波器量測(cè)出前四相運(yùn)作輸出情形:

 

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    經(jīng)由圖形輸出顯示,各路波形分別占有1/8周期,也就是說每組電路分別在周期八個(gè)時(shí)間點(diǎn)內(nèi)工作,的確滿足八相電路運(yùn)作模式。每相頻率為263KHZ,代表電路總交換頻率為263KHZ*8=2104KHZ,對(duì)于交換系統(tǒng)來說算是相當(dāng)高的數(shù)值。

 

    那四路SPDT電子開關(guān)到底用途為何呢?據(jù)指出該SPDT用來切換各相的回授信號(hào),使其符合原始四相系統(tǒng),至于如何將原始四相控制信號(hào)產(chǎn)生成八相信號(hào),這部分電路結(jié)構(gòu)就有待更深一層的研究。

 

    總的來說,供電的穩(wěn)定度并非相數(shù)越多就表示越好,而是扎實(shí)的設(shè)計(jì),才能使電路以及組件完全發(fā)揮,過度增加電路復(fù)雜性,容易增加故障機(jī)率。不如采用簡(jiǎn)潔有效的設(shè)計(jì),將成本反映在售價(jià)或是其它組件方面,更是有利無害。

 

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    但是從輸出波形的角度來說,項(xiàng)數(shù)越多,電壓波動(dòng)幅度越小,越接近恒定值;而且每項(xiàng)回路所分擔(dān)的電流也較少,可以有效降低元件的發(fā)熱,增強(qiáng)供電模塊自身的穩(wěn)定性以及CPU的穩(wěn)定性。所以說只要克服多項(xiàng)供電設(shè)計(jì)方面的難度,采用封閉式電感以及固體電容等方案以降低相互之間的干擾,那么在不考慮成本的情況下八項(xiàng)供電的優(yōu)勢(shì)是不言而喻的。

 

    最后從用戶的角度來說,華碩A8N32-SLI DELUXE雖然在BIOS電壓設(shè)置方面調(diào)節(jié)不夠?qū)捲#聦?shí)上這些BIOS當(dāng)中的電壓調(diào)節(jié)選項(xiàng)與CPU供電為多少項(xiàng)并無直接關(guān)系,但是八項(xiàng)供電的設(shè)計(jì)的確能夠提供更加穩(wěn)定的CPU電壓和更加純凈的電流,其結(jié)果就是在較低的CPU電壓下能夠?qū)?/SPAN>CPU超到更高的頻率。這一結(jié)果不難理解,而且已經(jīng)被眾多媒體測(cè)試和用戶所證實(shí)。

 

    對(duì)于超頻者來說,給CPU加壓能夠提高超頻成功機(jī)率、增強(qiáng)工作穩(wěn)定性幾乎是一條定律,這其實(shí)是一種假象,電壓越高CPU運(yùn)算出錯(cuò)的機(jī)率就越大,高壓極限超頻一般都僅能跑SuperPi,無法長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。因此更多的超頻玩家關(guān)注的就是一顆CPU在不加壓的情況下能超到多少,或者在加少許電壓的情況下能較多高;所謂的優(yōu)品大都是指低壓下能夠超到較高頻率的CPU。但是當(dāng)一塊CPU體制一定的情況下,一塊多項(xiàng)供電的主板就能比較容易讓它達(dá)到低壓高頻的目的。

 

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    最后還是感覺主板巨頭華碩的做法讓人有點(diǎn)摸不著頭腦,以前Intel 875P主板的基本要求就是采用四項(xiàng)供電為Prescott CPU加強(qiáng)設(shè)計(jì),但是大名鼎鼎的華碩P4C800系列卻采用了普通的三項(xiàng)供電,不過依然被眾多超頻玩家追捧并譽(yù)為“板皇”。而現(xiàn)在NF4時(shí)代才開始由三項(xiàng)過渡到四項(xiàng),華碩卻一反常態(tài)將供電模塊提升至八項(xiàng)的新境界!目前華碩最新的A8N32-SLINF4 SLI X16)、P5N32-SLINF4 SLI X16 IE)及P5WD2975X)均采用了八項(xiàng)供電設(shè)計(jì)??磥?/SPAN>06年的確是雙核心的天下,華碩提早為雙核心的普及做好了準(zhǔn)備,時(shí)代變了、世道也變了!

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