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三星搶先生產(chǎn)10nm工藝128Mbit SRAM緩存

    14/16nm工藝節(jié)點(diǎn)上，三星比TSMC更早量產(chǎn)FinFET工藝，進(jìn)度只比Intel落后，這一代的工藝競(jìng)逐賽就這么定了。在下一代10nm工藝上，三星、TSMC與Intel又開(kāi)始較勁了，Intel比較謹(jǐn)慎，10nm工藝的Cannonlake至少要到2017年Q3季度才能問(wèn)世，TSMC的10nm工藝已經(jīng)凍結(jié)研發(fā)，明年初試產(chǎn)，而三星這次更進(jìn)一步，率先使用10nm FinFET工藝生產(chǎn)了128Mbit SRAM緩存。

    三星電子日前宣布他們已經(jīng)成功使用10nm FinFET工藝生產(chǎn)了128Mbit SRAM緩存，后者通常用于處理器的緩存（L1/L2/L3緩存等等），速度比DRAM內(nèi)存要快得多，目前Intel、TSMC的SRAM緩存還是14、16nm工藝。

    三星這么快就生產(chǎn)出了10nm工藝的SRAM緩存說(shuō)明他們的工藝進(jìn)展很順利。根據(jù)三星所說(shuō)，與14nm工藝相比，其10nm SRAM緩存核心面積縮小了37.5%，如果應(yīng)用于移動(dòng)處理器，不僅性能更高，也有助于降低芯片核心面積。

    至于10nm量產(chǎn)時(shí)間，三星預(yù)計(jì)的時(shí)間點(diǎn)在2016年底，跟TSMC的樂(lè)觀預(yù)計(jì)差不多，至少都比Intel的10nm工藝進(jìn)度要快——不過(guò)前提是這兩家公司都沒(méi)吹牛，而且工藝進(jìn)展一帆風(fēng)順。■