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三星量產(chǎn)全球首個單條128GB DDR4內(nèi)存

    2014年8月底,三星電子宣布量產(chǎn)全球先進款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條,單條容量高達64GB。

    一年多后,三星將這一容量翻了一番,開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。

    新內(nèi)存依然是面向企業(yè)級服務器市場的RDIMM類型條子,使用了多達144顆DDR4內(nèi)芯片,每一顆容量8Gb(1GB),然后每四顆芯片利用TSV技術(shù)緊密封裝在一起,總計36個組,分布在內(nèi)存條兩側(cè)。

    制造工藝是三星非常先進的20nm,起步頻率2400MHz,接下來將逐步提升到2667MHz、3200MHz。

    另外,三星還會把TSV硅穿孔技術(shù)應用到HBM高帶寬內(nèi)存中?!?/p>

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