英特爾說(shuō)10年后處理器頻率將達(dá)250THz
雖然英特爾處理器頻率始終并沒有突破4GHz大關(guān)，但在本次IDF上，英特爾一位高層預(yù)言：10年后芯片的頻率將會(huì)達(dá)到250THz，口氣可謂不小。
鎵、砷、銦、銻等金屬材料可能會(huì)有助于英特爾將未來(lái)芯片的時(shí)鐘頻率提高至250THz或更高的水平。
上周四，英特爾負(fù)責(zé)技術(shù)戰(zhàn)略的主管鮑羅在“英特爾開發(fā)商論壇”上公布了在未來(lái)十年后將芯片時(shí)鐘頻率提高至250THz的計(jì)劃。鮑羅說(shuō)，通過在硅基片上增添多種其它半導(dǎo)體材料，設(shè)計(jì)人員將能夠控制材料的原子屬性。
他表示，在過去的三十年中，我們一直在減小硅晶體管的尺寸，我們目前已經(jīng)得到了厚度為4 、5 個(gè)原子的晶片，但我們無(wú)法取得進(jìn)一步的突破。為了提高性能，我們需要提高電子的移動(dòng)能力，應(yīng)力硅能夠?qū)㈦娮拥囊苿?dòng)能力提高一倍，但我們?cè)谶@一方面會(huì)得到極限。
鮑羅表示，包括鎵、砷、銦、銻在內(nèi)的六、七種半導(dǎo)體材料的電子移動(dòng)能力比硅高，但我們卻不會(huì)完全轉(zhuǎn)向這些材料。他說(shuō)，我們無(wú)法利用它們制造晶圓片，但我們可以在硅晶圓片上“沉積”部分這些材料。我們可以制造出混合型的半導(dǎo)體材料，因?yàn)檫@些元素是可以混合的。
鮑羅指出，這樣的芯片的速度會(huì)更快，需要的電壓更低。他說(shuō)，我們認(rèn)為硅晶體管的最高時(shí)鐘頻率只能達(dá)到25THz ，我們能夠獲得比這一速度高10-100倍的晶體管。
Intel處理器頻率并沒有突破4GHz
鮑羅表示，這種新技術(shù)將使一些長(zhǎng)期以來(lái)一直期望的變化“夢(mèng)想成真”。他說(shuō)，我們將能夠更有效地集成光子學(xué)技術(shù)，最終使內(nèi)核能夠通過光子技術(shù)相互連接起來(lái)。
鮑羅指出，盡管實(shí)驗(yàn)室研究的結(jié)果令人振奮，但要推出商業(yè)化產(chǎn)品至少還需要十年時(shí)間。他說(shuō)，通常情況下，實(shí)驗(yàn)室成果和商品化之間會(huì)相隔10年時(shí)間。應(yīng)力硅技術(shù)在1991年就被提出來(lái)了，但在2002年才成熟，2003年才被應(yīng)用于產(chǎn)品中。
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