手把手教內(nèi)存超頻 一步步爬上DDR600
個(gè)性與創(chuàng)意
在我們打造個(gè)性、創(chuàng)意的個(gè)人電腦的同時(shí)，我們不要忘了性能也是我們所追求的一個(gè)終極目標(biāo)。雖然目前很多玩家對(duì)于超頻都有了一定了解，但是很多細(xì)節(jié)部分可能還有很多不清楚的地方，讓超頻效果不是很明顯。而容易造成大家超頻失敗的80％都來(lái)自于內(nèi)存部分，今天我給大家專(zhuān)門(mén)介紹一下內(nèi)存部分的超頻步驟，希望能夠幫助大家更好的超頻。
● 淺析：為什么要關(guān)注內(nèi)存？?jī)?nèi)存對(duì)你的電腦有多重要？
在K7時(shí)代，我們?cè)?jīng)為了當(dāng)時(shí)偉大的nForce2的雙通道去升級(jí)內(nèi)存，而購(gòu)買(mǎi)兩條內(nèi)存的習(xí)慣一直延續(xù)到了現(xiàn)在。
如果這樣比較，你是否了解了內(nèi)存的重要性？其實(shí)世界上真正能有實(shí)力生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠(chǎng)商卻并不是非常多，我們國(guó)內(nèi)比較常見(jiàn)的也只有三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infineon)、美光(Micron)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)等等，這些都是世界上優(yōu)秀的內(nèi)存廠(chǎng)商，他們的說(shuō)生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒不僅在默認(rèn)下讓內(nèi)存達(dá)到非常好的化設(shè)置，而且其驚人的超頻能力，他們中大部分的內(nèi)存顆粒都有從DDR400超頻至DDR500的能力，有的還會(huì)更高，這些都是也是我們花錢(qián)去購(gòu)買(mǎi)的大廠(chǎng)內(nèi)存一個(gè)理由。
現(xiàn)代(Hynix)D43顆粒－金士頓DDR400
華邦(Winbond)BH-5顆粒－勤茂DDR400
鎂光(Micron)-5B C顆粒－鎂光DDR400
三星(SAMSUNG)TCCD顆粒－G.SKILL芝奇DDR400你可以設(shè)想一下，如果你花費(fèi)了一條DDR400內(nèi)存的錢(qián)，而內(nèi)存卻又能超頻至DDR600，是不是你所花費(fèi)的錢(qián)又增值了呢。至于內(nèi)存的選購(gòu)和對(duì)整機(jī)性能的影響，大家可以參考文章《1MB僅6毛！市售內(nèi)存六大采購(gòu)火辣寶典》。
● 如果你購(gòu)買(mǎi)到一條不好的內(nèi)存，那么你將可能遇到這樣的情況：
買(mǎi)到內(nèi)存不好，開(kāi)機(jī)死機(jī)！玩到一般死機(jī)！超頻更死！1、兼容性不好，導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法啟動(dòng)
2、質(zhì)量不好，導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁死機(jī)
3、性能不好，導(dǎo)致性能下降，成為系統(tǒng)瓶頸
4、超頻性不好，導(dǎo)致超頻后不能與CPU同步，異步后性能下降
● 市場(chǎng)上真的還能夠買(mǎi)得到優(yōu)品內(nèi)存嗎？
談到優(yōu)品內(nèi)存，想必大家肯定會(huì)覺(jué)得那是及其希罕的事物，怎么可能被普通的用戶(hù)購(gòu)買(mǎi)得到，其實(shí)不然，只要你善于發(fā)現(xiàn)，還是非常之多的，今天小編就發(fā)現(xiàn)了一種內(nèi)存，可能一說(shuō)品牌很多不是玩家的用戶(hù)肯定會(huì)很陌生，但是肯定性能是最為重要的，看文章標(biāo)題大家應(yīng)該能知道，它能在從DDR400超頻至DD600下，而且能擁有非常好的化的1T設(shè)置，5-3-3-2.5的延遲，真的是這樣嗎？太強(qiáng)了吧？到底什么顆粒那么厲害？我們帶著問(wèn)題，下面看我們接下來(lái)的測(cè)試● 如何選購(gòu)內(nèi)存：“顆粒”論！用料、做工不能忽略的因素
內(nèi)存對(duì)于最終得分的影響主要取決于工作頻率以及SPD設(shè)置。由于，我們本次測(cè)試中的內(nèi)存均是工作在默認(rèn)頻率下，所以對(duì)得分有影響的只有內(nèi)存的SPD信息設(shè)置。選購(gòu)技巧：
一、 DDR內(nèi)存選購(gòu)技巧
1、顆粒介紹
這兩三年來(lái)，內(nèi)存條的品牌漸漸多了起來(lái)，不過(guò)能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的還是那么幾家半導(dǎo)體大廠(chǎng)。三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)、茂矽(MOSEL)、ELPIDA等等。而某些顆粒廠(chǎng)商通常只用在顯存上，比如EliteMT，就不多介紹了。應(yīng)該說(shuō)這些內(nèi)存顆粒廠(chǎng)商都具有相當(dāng)實(shí)力，不過(guò)最具有實(shí)力還屬三星、現(xiàn)代以及美光。
● 現(xiàn)代D43顆粒
有些內(nèi)存顆粒上出現(xiàn)不是這些顆粒廠(chǎng)商的LOGO，比如Kingston的部分顆粒、GeIL、KINGMAX等等，這些都是內(nèi)存制造廠(chǎng)商自己打磨的，這個(gè)屬于正常的打磨范圍。而某些JS就通過(guò)打磨各種各樣的LOGO來(lái)冒充正規(guī)產(chǎn)品，以次充好或者以低檔充高檔等等，這個(gè)就是俗稱(chēng)的“打磨條”。打磨條“涉及”的范圍非常之廣，一向假貨極少的金邦內(nèi)存都不能幸免，因此購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存務(wù)必到正規(guī)代理商處購(gòu)買(mǎi)。
現(xiàn)代應(yīng)該是大家都非常熟悉的內(nèi)存顆粒品牌了，從SD時(shí)代到DDR時(shí)代，現(xiàn)代內(nèi)存顆粒在國(guó)內(nèi)的占有量絕對(duì)是首屈一指的。目前大家在市場(chǎng)中常見(jiàn)的現(xiàn)代內(nèi)存規(guī)格主要分DDR400和DDR500兩種規(guī)格。
同為現(xiàn)代D43顆粒，CTP-D43比BT-D43超頻性能稍弱 英飛凌（infineon）BT5顆粒 注意看內(nèi)存參數(shù) Winbond華邦 （W942598BH-5）5納秒顆 在超頻玩家選擇內(nèi)存的時(shí)候，有一些內(nèi)存顆粒的編號(hào)是相當(dāng)重要的。比如三星的TCCD和TCCC、還有現(xiàn)代的BT-D43、還有英飛凌的-5-C等等。這些代表內(nèi)存批次的編號(hào)通常都有不錯(cuò)的超頻能力或者上低延遲能力。其中又以三星的TCCC和TCCD顆粒最為著名，海盜船出品的優(yōu)品內(nèi)存通常都采用這種顆粒，能夠在5-2-2-2時(shí)序下超頻在DDR500以上，在發(fā)燒界中口碑極好。
2、如何看內(nèi)存的用料及做工好壞
我們可以從下面幾個(gè)方面來(lái)判斷內(nèi)存條的好壞：金手指、用料、設(shè)計(jì)、工藝。
金手指部分金手指：內(nèi)存的金手指通常有兩種制造方法，電鍍和化學(xué)鍍(以下簡(jiǎn)稱(chēng)：化鍍)?；兊慕鹗种笗?huì)比電鍍的薄20微米左右，不過(guò)肉眼很難看得出來(lái)，電鍍的金手指耐磨度和電氣性能更好。但是鑒別起來(lái)很簡(jiǎn)單，電鍍的金手指在末端會(huì)有一個(gè)“小辮子”，這個(gè)是生產(chǎn)工藝造成了，沒(méi)有辦法避免，如圖所示。這兩種工藝成本差價(jià)大概在10元左右，相對(duì)于目前內(nèi)存的價(jià)格，還是比較可觀的。另外，好的金手指通常看起來(lái)和黃金差不多，黃顏色很有質(zhì)感；差的金手指看起來(lái)泛白。
用料：要看一根內(nèi)存的用料水準(zhǔn)很簡(jiǎn)單：如果內(nèi)存上面的小貼片元件多，那么這根內(nèi)存用料應(yīng)該說(shuō)不錯(cuò)。用在內(nèi)存上面的小元件主要有兩種，一種上面有數(shù)字的，叫做排阻；一種更小的方塊，叫做電容，通常用作耦合。一般在內(nèi)存顆粒和金手指之間，會(huì)有很多的排阻，而內(nèi)存顆粒周?chē)鷦t會(huì)有很多電容。用料差的內(nèi)存，在整個(gè)PCB板面上都是“光禿禿”的。
設(shè)計(jì)：內(nèi)存的PCB板通常為四層板或者六層板，尤其對(duì)于DDR內(nèi)存，由于工作頻率較高，采用六層板為佳。
不過(guò)為了控制成本，廠(chǎng)商通常有更加折中的辦法 ：采用四層板，然后使用單面；或者采用六層板，雙面都使用。不過(guò)仍然有很多廠(chǎng)商采用六層板單面設(shè)計(jì)，這樣就不惜工本。
工藝：拿起一根內(nèi)存，看看PCB板的四邊是否有毛邊，是否摸起來(lái)光滑。如果是，那么這根內(nèi)存的PCB板邊還是處理的不錯(cuò)的。
其次，看看內(nèi)存上顆粒、排阻、電容的焊接工藝，如果焊點(diǎn)圓滑飽滿(mǎn)富有光澤，那么這根內(nèi)存所使用的焊錫和焊接機(jī)是比較好的 DDR（Double Data Rate）內(nèi)存是雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)，DDR內(nèi)存是SDRAM向前進(jìn)化的產(chǎn)物，本質(zhì)上和SDRAM完全相同。DDR內(nèi)存可以在時(shí)鐘周期的上升或下降階段傳輸數(shù)據(jù)，所以理論上與同頻運(yùn)行的SDRAM內(nèi)存相比，DDR內(nèi)存具有雙倍于SDRAM內(nèi)存的帶寬。
DDR內(nèi)存也好像它們的前輩那樣，經(jīng)歷過(guò)FPDRAM、EDORAM、SDRAM到今天的DDRRAM變遷之后，隨著技術(shù)進(jìn)步而被逐步淘汰。
DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)除了中國(guó)臺(tái)灣的威盛VIA，矽統(tǒng)SIS，揚(yáng)智ALI三大芯片廠(chǎng)商的支持以外，DDR AMI2 聯(lián)盟內(nèi)的NEC，MICYON，三星，現(xiàn)代，日立，東芝，三菱，富士通(有些已轉(zhuǎn)RDRAM陣營(yíng))等等無(wú)一不是世界上有影響力的業(yè)界大廠(chǎng)，在當(dāng)時(shí)同時(shí)以AMD 760芯片組、VIA KT266芯片組、ALi的MAGIK1芯片組等DDR主板的面市，DDR的聲勢(shì)日漸浩大，甚至英特爾也不得不接受DDR的各種優(yōu)勢(shì)，在845芯片組中使用DDR，其服務(wù)器芯片i870也支持DDR SDRAM內(nèi)存。其它的電腦廠(chǎng)商如IBM，NEC等更已經(jīng)被DDR SDRAM深深吸引住。
過(guò)去DDR內(nèi)存規(guī)格出現(xiàn)了4種：目前DDR內(nèi)存已經(jīng)有三種規(guī)格，分別是PC1600（帶寬為1.6GB/s）DDR200、PC2100（帶寬為2.1GB/s）DDR266、PC2700（帶寬為2.7GB/s）DDR333，PC3200（帶寬為3.2GB/s）DDR400。
由于生產(chǎn)成本上同傳統(tǒng)的SDRAM相比只是略有提高，而且只需對(duì)原有的SDRAM生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行小范圍的改造就能轉(zhuǎn)入DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，再加之不存在任何專(zhuān)利等方面的問(wèn)題，所以DDR內(nèi)存成為今天乃至今后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)的主流產(chǎn)品已經(jīng)成為一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)。
● DDR內(nèi)存神話(huà)：三星TCCD內(nèi)存為什么這么牛？
三星是目前世界上最大的半導(dǎo)體公司，也是排名前三名的內(nèi)存廠(chǎng)商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒為各內(nèi)存廠(chǎng)商廣泛采用，編號(hào)為T(mén)C系列的DDR內(nèi)存顆粒更是得到了超頻玩家們的熱愛(ài)，當(dāng)然其中最著名的就是TCCD顆粒。
繼華邦的BH-5之后，三星的TCCD是第二款應(yīng)該被大家記住并懷念的顆粒；TCCD被稱(chēng)之為“BH-5的代替者”，某些人贊同這一說(shuō)法，當(dāng)然也有人反對(duì)。TCCD可以稱(chēng)得上最全面的內(nèi)存芯片，要高參有高參，要高頻有高頻，TCCD可以在2-2-2-X的時(shí)序下穩(wěn)定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時(shí)序下以超過(guò)300MHz的頻率穩(wěn)定運(yùn)行，是目前工作頻率最高的DDR內(nèi)存芯片。由于三星早已宣布停產(chǎn)TCCD顆粒，所以市場(chǎng)上采用該顆粒的內(nèi)存越來(lái)越少，有點(diǎn)如當(dāng)年的BH-5的引退之勢(shì)，當(dāng)然小編還是找到了這樣的內(nèi)存，立即推薦給大家。
在很多超頻玩家心目中，諸如：海盜、OCZ等內(nèi)存產(chǎn)品都是這些超頻玩家的首選產(chǎn)品，甚至采用D43顆粒的KingStone都被玩家們津津樂(lè)道。但是在很長(zhǎng)時(shí)間里，玩家們都忽略了這樣一個(gè)品牌：G.Skill，G.Skill（芝奇）是我國(guó)臺(tái)灣省臺(tái)北市一家內(nèi)存模塊專(zhuān)業(yè)制造商。和其他廠(chǎng)商不同的是G.Skill（芝奇）是由一群計(jì)算機(jī)狂熱玩家組合成立的，所以其產(chǎn)品充滿(mǎn)了最新最狂熱的理念，那就是‘超頻’。
極致效能內(nèi)存的制造商 - G.SKILL芝奇發(fā)了他們最新的DDR400 2-2-2-5 一對(duì) 1GB 的FX 系列，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)也已經(jīng)全面到貨，玩家已不用擔(dān)心這只是“非賣(mài)品”。 FX 系列是使用三星科技最著名的高效能內(nèi)存顆粒 – TCCD。FX 系列同時(shí)兼容于Intel 以及AMD 平臺(tái)。
強(qiáng)悍的默認(rèn)參數(shù)DDR400 ，5-2-2-2
芝奇 G.SKILL 1GBFX，512×2雙通道套裝在發(fā)表了多款暢銷(xiāo)的高頻率系列之后，芝奇發(fā)表的 FX 系列是 DDR400 2-2-2-5。
官方提供的內(nèi)存技術(shù)參數(shù)目前市售的內(nèi)存很多都標(biāo)榜著DDR600,但是DDR600可不是買(mǎi)回來(lái)插在主機(jī)板上開(kāi)機(jī)就會(huì)變成DDR600,也并不是每種平臺(tái)都可達(dá)到DDR600甚至更高,我們以DFI nf4平臺(tái)為例教大家如何超頻到DDR600。
超頻菜單
● 第一步：倍頻
LDT/FSB調(diào)節(jié)很重要
這個(gè)選項(xiàng)關(guān)乎我們超頻的成功率，很多玩家沒(méi)有超頻成功大部分原因都是因?yàn)檫@個(gè)選項(xiàng)沒(méi)有調(diào)節(jié)好。在這里我們超頻之前先把這項(xiàng)數(shù)值調(diào)節(jié)為2X或者3X然后在進(jìn)行接下來(lái)的參數(shù)調(diào)節(jié)。
倍頻調(diào)節(jié)選項(xiàng)，當(dāng)前為9X
內(nèi)存與處理器異步調(diào)節(jié)以下以DFI nF4系列平臺(tái)為例為各位作示范,想要將內(nèi)存超頻到DDR600我們首先要確保自己的CPU能夠上到300外頻，雖然我們可以通過(guò)CPU與內(nèi)存異步調(diào)節(jié)，使CPU不需要達(dá)到如此高的外頻就可以讓內(nèi)存上到DDR600，但是內(nèi)存異步對(duì)于性能的損失相當(dāng)大，或者說(shuō)你CPU外頻較低，而僅僅是提高內(nèi)存頻率，對(duì)于整機(jī)性能如杯水車(chē)薪一般。所以CPU的外頻最好能夠和內(nèi)存同步，這樣才能夠達(dá)到性能最大化。
Command Per Clock調(diào)節(jié)菜單首先，我們要確定自己的CPU能夠達(dá)到300外頻。有些處理器可能無(wú)法直接上到300外頻，我們可以通過(guò)調(diào)節(jié)處理器的倍頻使內(nèi)存較容易上到300外頻。我們這里拿一顆Athlon 3000+為例，Athlon 3000+主頻為1.8GHz，外頻為200MHz，倍頻為9，此時(shí)如果我們直接讓外頻超到300MHz的話(huà)，可能很多處理器無(wú)法達(dá)到，這是我們可以調(diào)節(jié)處理器的倍頻選項(xiàng)來(lái)達(dá)到我們的目的（AMD處理器一般鎖定倍頻向上調(diào)節(jié)，但是沒(méi)有鎖定向下調(diào)節(jié)）。
這個(gè)時(shí)候我們只需要把CPU倍頻調(diào)節(jié)到8X，然后再把CPU外頻調(diào)節(jié)到300MHz的話(huà)，超300MHz外頻的成功率就會(huì)大大增加，并且你不會(huì)因?yàn)榻档捅额l而造成性能的損失。
● 參數(shù)
內(nèi)存調(diào)節(jié)菜單
CL值調(diào)節(jié)● 時(shí)序
時(shí)序調(diào)節(jié)
第一項(xiàng)為內(nèi)存頻率調(diào)節(jié)選項(xiàng)，這里可以調(diào)節(jié)內(nèi)存的時(shí)鐘頻率，我們的目標(biāo)是讓這個(gè)頻率調(diào)節(jié)到300MHz。第二項(xiàng)為Command Per Clock選項(xiàng)，這個(gè)選項(xiàng)直接關(guān)系到整機(jī)的性能，1T與2T時(shí)序可以讓整機(jī)出現(xiàn)5％左右的性能差距，這里我們最優(yōu)先選擇1T時(shí)序。
Write CAS值
第三項(xiàng)為CAS值，這個(gè)數(shù)值早在SDRAM時(shí)代就被很多玩家所關(guān)注，也是當(dāng)時(shí)超頻內(nèi)存時(shí)最為重要的一個(gè)選項(xiàng)，但是在進(jìn)入DDR時(shí)代以后，這個(gè)數(shù)值對(duì)于整機(jī)性能影響減小，但是即使是1%或2％的性能提升也不能夠放過(guò)。這里如果內(nèi)存體制好的話(huà)最好設(shè)置在2.5，如果不穩(wěn)定調(diào)節(jié)到3。
● RAS值的重要性與調(diào)節(jié)
RAS時(shí)序調(diào)節(jié)我們最好將系統(tǒng)內(nèi)存想程序一個(gè)二維的查詢(xún)表，當(dāng)我們要存取數(shù)據(jù)時(shí)，需要先指定存放數(shù)據(jù)的一列（row）地址所在，也就是送出一個(gè)稱(chēng)為RAS（Row Address Strobe）的訊號(hào)，然后接著送出CAS（Column Address Strobe）的訊號(hào)來(lái)定義行（Column）的數(shù)據(jù)位置，透過(guò)哪一行及哪一列的位置確定，就可以找到正確的數(shù)據(jù)存放位置，不過(guò)在接連送出的RAS和CAS的訊號(hào)間，需要有一個(gè)短暫停頓，以確保內(nèi)存的正確位置被鎖定，這就是本文所謂的RAS-to-CAS的延滯，一般與的數(shù)值是二到三個(gè)內(nèi)存頻率的延遲時(shí)間。
Read Preamble Time調(diào)節(jié)
Refresh Perlod調(diào)節(jié)菜單
設(shè)定SDRAM RAS to CAS Delay數(shù)值是為了設(shè)定RAS的訊號(hào)送出后，在隔多少內(nèi)存頻率后才送出CAS的訊號(hào)，可能的數(shù)值范圍是2到5，2是最快的，每次調(diào)一個(gè)數(shù)字再測(cè)試整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，愈好的內(nèi)存模塊，可以讓你設(shè)定更快的數(shù)值而系統(tǒng)依然可以穩(wěn)定運(yùn)作。
內(nèi)存時(shí)序調(diào)節(jié)頁(yè)面
一般默認(rèn)的為4-8-4，
當(dāng)我們調(diào)節(jié)好剛才我們介紹的許昂想以后，確認(rèn)系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)行，這個(gè)時(shí)候我們逐一把這三個(gè)數(shù)值向下調(diào)節(jié)，每調(diào)節(jié)一項(xiàng)測(cè)試一下系統(tǒng)的穩(wěn)定性，這里我向大家推薦Super PI，這個(gè)軟件對(duì)于系統(tǒng)穩(wěn)定性要求較高，并且檢測(cè)速度快，是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。測(cè)試完成一切穩(wěn)定時(shí)可以試著調(diào)整到2.5-4-7-3重測(cè)一次，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定可以適當(dāng)?shù)恼{(diào)節(jié)內(nèi)存電壓。
內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)選項(xiàng)，初學(xué)者適當(dāng)調(diào)節(jié)接著是Row to Row delay下去的4個(gè)選項(xiàng)，在確保系統(tǒng)在調(diào)節(jié)穩(wěn)定以后，可以把接下來(lái)的4個(gè)內(nèi)存參數(shù)由默認(rèn)的2-2-2-3，調(diào)節(jié)到2-2-1-2測(cè)試一下穩(wěn)定性，如果不能夠穩(wěn)定運(yùn)行可以適當(dāng)加一些內(nèi)存電壓，這個(gè)參數(shù)對(duì)于內(nèi)存性能影響不是很明顯，如果不能夠穩(wěn)定運(yùn)行使用默認(rèn)設(shè)置即可。
Refresh period最好設(shè)置為100 1.95us，這個(gè)設(shè)置可以加快浮點(diǎn)運(yùn)算性能。接著來(lái)看DRAM Drive strength跟DRAM Data Drive strength這兩項(xiàng)設(shè)定攸關(guān)CPU內(nèi)存控制器兼容性的優(yōu)劣,也攸關(guān)整體平臺(tái)的穩(wěn)定。
MemTest86+開(kāi)關(guān)部分在一般情況下如果DRAM Drive strength設(shè)的愈高,進(jìn)操作系統(tǒng)會(huì)愈穩(wěn)定,但設(shè)的低的話(huà)跑MEMTEST會(huì)更穩(wěn)過(guò),所以有些人會(huì)在跑MEMTEST86+時(shí)DRAM Drive strength設(shè)5或更低,以便很順利完成MEMTEST86測(cè)試,但是以這樣的設(shè)定別想順利進(jìn)入OS桌面或完成PI測(cè)試。
Bypass Max調(diào)節(jié)，保持7X為宜
接著請(qǐng)看MAX Async Latency與Read Preamble Time,這里是設(shè)8與5,建議也可以設(shè)auto,在auto時(shí)會(huì)隨著外頻的升高而放松這兩項(xiàng)參數(shù),當(dāng)然8-5是非常好的設(shè)置。
● 注意事項(xiàng)
以上是范例跑PASS3 OK我就跳出(這張頻率是設(shè)3G)
以上是范例跑PASS3 OK我就跳出(這張頻率是設(shè)3G)接著進(jìn)入TEST8，進(jìn)入步驟請(qǐng)按C-1-3-8-0會(huì)進(jìn)入TEST8。
接著就是Dynamic counter范例是設(shè)enable,enable是嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?/SPAN>,當(dāng)你過(guò)不了測(cè)試有加電壓無(wú)效時(shí),請(qǐng)?jiān)囍P(guān)掉Dynamic counter再測(cè)一次,還有DRAM Response請(qǐng)務(wù)必設(shè)fast
R/W Queue Bypass 設(shè)16x 就ok(對(duì)于性能提升不是很重要)
By Passmax設(shè)7x 。
設(shè)定完成請(qǐng)按F10存檔,一開(kāi)機(jī)會(huì)進(jìn)入MEMTEST86+畫(huà)面,請(qǐng)直接進(jìn)入TEST5與TEST8,進(jìn)入步驟請(qǐng)按C-1-3-5-0會(huì)進(jìn)入TEST5。
以上是范例跑PASS1 OK我就跳出(這張頻率為2.7G)
全部?jī)?nèi)存參數(shù)均是相同設(shè)定,但是內(nèi)存電壓我加到2.8v,因?yàn)槲蚁惹坝凶鲞^(guò)測(cè)試，電壓加到2.8V才能穩(wěn)跑(這里按照你自己的實(shí)際情況設(shè)置)。跑SP2004 Blend stress CPU and RAM. Priority設(shè)9已經(jīng)47分鐘ok,現(xiàn)在仍然持續(xù)測(cè)試中。
● 超頻失敗怎么辦？
Load大法
有時(shí)候參數(shù)一下調(diào)節(jié)過(guò)高，機(jī)子無(wú)法穩(wěn)定運(yùn)行，并且還忘記剛才參數(shù)的數(shù)值，不要慌，我們只需要選擇上圖的選項(xiàng)即可解決。這個(gè)選項(xiàng)是恢復(fù)BIOS默認(rèn)設(shè)置的，即使你把BIOS調(diào)的連“他媽?zhuān)ㄖ靼逶O(shè)計(jì)師）”都不認(rèn)得也沒(méi)有關(guān)系，只要Load一下就OK了，初學(xué)者注意使用這個(gè)功能。
● 測(cè)試總結(jié)
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