845E也能DDR400，七彩虹P4E ProII
去年年中，DDR SDRAM內(nèi)存相對RDRAM低廉的系統(tǒng)成本以及相對于SDRAM突出的性能提升，人們逐漸感受到DDR SDRAM的巨大優(yōu)勢所在，經(jīng)過一年時間的過渡，DDR SDRAM內(nèi)存終于取得了市場的主流地位，當然這也是同英特爾后期推出支持DDR SDRAM芯片組是密不可分的。
DDR333與DDR400之爭：
去年矽統(tǒng)的SiS645芯片組首次提供了對DDR333 SDRAM內(nèi)存的支持，而且對于Pentium 4這類對內(nèi)存帶寬渴求度相當大的系統(tǒng)來說，普通的DDR266 SDRAM所提供的2.1GB/s的帶寬顯然已經(jīng)不能夠滿足Pentium 4系統(tǒng)的對內(nèi)存的存取速度需要，而對于Athlon XP處理器對于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的要求則并非如此強烈，因此高內(nèi)存帶寬對于提升Pentium 4系統(tǒng)性能來說才顯得尤為重要。
隨著Pentium 4系統(tǒng)平臺逐步全面轉(zhuǎn)向DDR333 SDRAM內(nèi)存的支持，未來一段時間DDR333 SDRAM內(nèi)存會是市場中絕對的主流產(chǎn)品。英特爾將在九月正式推出支持DDR333 SDRAM內(nèi)存的845GE、845PE芯片組，在英特爾強有力支援下，自然下半年DDR333 SDRAM內(nèi)存的銷量將會比上半年大幅度增張，近期三星等內(nèi)存廠商都表示已經(jīng)最好了一切準備，下半年開足馬力加大DDR333 SDRAM內(nèi)存的產(chǎn)量。DDR333 SDRAM將取代DDR266 SDRAM成為內(nèi)存市場上新的霸主。
從以往我們所進行的測試看，搭配DDR400 SDRAM內(nèi)存的芯片組性能都相當好，在測試中幾乎可以同搭配PC800 RDRAM的850芯片組相互匹敵，但可惜的是當前還沒有一款芯片組可以很好的支持DDR400 SDRAM內(nèi)存，即使有也只是停留在初期的工程樣板階段。象我們測試過的P4PB 400主板（P4X400芯片組）雖然官方宣布支持DDR400 SDRAM內(nèi)存，但實際上其跑在DDR400模式下時還欠缺穩(wěn)定性和可靠性，而矽統(tǒng)方面則只能在SiS648公板上通過DDR400內(nèi)存測試，而其它大多數(shù)廠商推出的SiS648芯片組主板想要穩(wěn)定運行DDR400內(nèi)存則還比較困難。
但是對于一些DIY超頻發(fā)燒來說，DDR400內(nèi)存絕對是其不二之選，因為內(nèi)存方面完全可以沒有問題的運行在200MHz外頻下（DDR400），不少人可以在超頻時讓內(nèi)存跑在200MHz外頻，甚至更高，系統(tǒng)性能得到了突出的提升。雖然矽統(tǒng)（SiS）以及威盛（VIA）都有支持DDR400 SDRAM內(nèi)存芯片組的計劃，但人們還是將更多的目光放在了未來的DDRII以及雙通道DDR芯片組上，如果你注意到這些廠商的Roadmap，你會發(fā)現(xiàn)，明年上半年將是雙通道DDRII內(nèi)存的天下。
RDRAM盤踞高端：
自從英特爾推出采用533MHz外頻的Pentium 4處理器，北橋與處理器之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬進一步提升到4.2GB/s，因此搭配數(shù)據(jù)帶寬為3.2GB/s的PC800 RDRAM內(nèi)存已經(jīng)不能完全滿足Pentium 4處理器巨大的“胃口”，內(nèi)存又成為提升系統(tǒng)性能的瓶頸。
英特爾五月推出的845E、845G以及850E，都可以支持533MHz前端總線的Pentium 4處理器，似乎850E芯片組支持更快的PC1066 RDRAM也是理所當然的事情，但不知處于何種考慮英特爾官方并沒有宣布支持PC1066內(nèi)存，不過在大多數(shù)850E主板中生產(chǎn)廠商則都提供了PC1066內(nèi)存的支持，而且測試中表現(xiàn)也都非常穩(wěn)定，因此它又成為最強的Pentium 4平臺，在高端市場PC1066內(nèi)存與i850E芯片組仍是絕對的統(tǒng)治者。
未來一段時間RDRAM內(nèi)存的發(fā)展方向一是進一步的提高工作頻率，在矽統(tǒng)芯片組的發(fā)展藍圖上看到其用于RDRAM內(nèi)存的SiS658芯片組已經(jīng)可以提供對PC1333 RDRAM的支持；二是引入32bit RIMM4200內(nèi)存，這樣用戶不必為實現(xiàn)雙通道工作模式，而每次都必須插接兩根或四根RDRAM使用。
DDR內(nèi)存的發(fā)展方向：
提高內(nèi)存的有效工作頻率，是在不改變當前模塊設(shè)計的前提下提升內(nèi)存帶寬最直接有效的方法，但是受到主板芯片組以及內(nèi)存本身的影響，進一步提升內(nèi)存的工作頻率已經(jīng)相當困難，DDR400 SDRAM已是DDR-I內(nèi)存的頂峰之作。但是DDR400 SDRAM內(nèi)存雖然價格上并不昂貴，但是既沒有可與之完好搭配的芯片組支持，也沒有通過JEDEC（聯(lián)合電子工程委員會）的內(nèi)存標準認證，因此DDR400內(nèi)存只是現(xiàn)階段超頻玩家以及追求性能用戶的非常好的選擇，而DDR-II內(nèi)存才是未來DDR SDRAM內(nèi)存的接班人。
根據(jù)JEDEC在不久前制定的DDR-II內(nèi)存的初步規(guī)范，DDR-II內(nèi)存在生產(chǎn)工藝、封裝形式、工作電壓上與DDR-I都不盡相同。首先DDR-II采用了0.13微米工藝生產(chǎn)，封裝也隨之改為FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array）形式，同目前內(nèi)存制造廣為使用的TSOPII封裝形式相比，F(xiàn)BGA具有小巧外形的CSP（芯片級封裝）型，同時具有印制線路板小的優(yōu)點，而且信號完整性更佳。
新的生產(chǎn)工藝不但可以保證內(nèi)存穩(wěn)定的運行在較高的頻率下，而且內(nèi)存的工作電壓也由DDR-I所使用的2.5V降低到1.8V。從內(nèi)存廠商ELPIDA公布資料看DDR-II533（運行在266MHz）內(nèi)存的功耗為304mW，而現(xiàn)有的DDR266（運行在133MHz）內(nèi)存的功耗為418mW，工作頻率提高了一倍，而功耗卻降低了27％。
根據(jù)JEDEC的DDR-II規(guī)劃藍圖，DDRII將擁有400MHz、533MHz、667MHz三種速度規(guī)格，分別對應(yīng)200MHz、266MHz、333MHz實際頻率，內(nèi)存帶寬分別達到3.2GB/s、4.2GB/s、5.4GB/s，初期生產(chǎn)的內(nèi)存容量為512M，另外在圖形卡市場，DDR-II內(nèi)存將很快出現(xiàn)在nVIDIA最新的圖形卡NV30上，而其擁有更高的時鐘頻率（800MHz以上），而且位寬更大。
另外，同DDR-I區(qū)別比較大的地方還有DDR-II增加了CAS、OCD、ODT、AL四個中端指令并且擁有4到8路的Burst Length（脈沖寬度）以及4位預(yù)取存取功能。三星等內(nèi)存大廠已經(jīng)生產(chǎn)出512MB的DDR-II SDRAM樣品。最快DDR-II內(nèi)存將最快應(yīng)用在nVIDIA十月推出的NV30圖形卡上，而DDR-II內(nèi)存邁向市場主流，那就是2003年的事了。<
此前英特爾在設(shè)計845E以及845G芯片組的時并沒有加入對DDR333 SDRAM的支持，同威盛與矽統(tǒng)眾多支持DDR333甚至DDR400內(nèi)存、AGP8X的芯片組相比，i845E與845G功能上顯得過于單薄，估計是擔心威脅到高端的i850E芯片組的銷售，以及DDR333 SDRAM在可靠、穩(wěn)定性兩方面的原因，845E和845G芯片組便“隱藏”了支持DDR333 SDRAM的功能。
而有沒有其它方法可以讓845E或者845G支持更高頻率的內(nèi)存方法呢？當然是有的。幾個月前我們收到英特爾寄給我們的一塊845G芯片組主板中發(fā)現(xiàn)了可讓內(nèi)存異步工作在DDR333模式的功能，而經(jīng)過我們詢問英特爾得知，845G的DDR333內(nèi)存支持還并不是真正的規(guī)范，首先845G芯片組的DDR333內(nèi)存模式只有在使用533MHz FSB的Pentium 4處理器時才可用，其次英特爾悄悄打開845G芯片組DDR333內(nèi)存支持的的初衷主要是提高內(nèi)置圖形核心的3D圖形性能。
在使用845G芯片組時，如果用戶所搭配的是400MHz前端總線的Pentium 4處理器，系統(tǒng)偵測到處理器信息后BIOS中則給出的HOST/DRAM比率只有1：2，1：2.66兩種，因此跑在400MHz FSB模式時，內(nèi)存最高異步到DDR266模式。而用戶使用的是533MHz前端總線的Pentium 4處理器時，BIOS中給出的選項則與100MHz外頻處理器有所不同，分別為1：1.5，1：2.0，1：2.5三種，因此在這時系統(tǒng)內(nèi)存可最高異步到DDR333模式。而想讓內(nèi)存跑在更快的DDR400模式，只能通過將外頻超至160MHz才可以，而一般533MHz FSB的P4處理器則比較困難，因此意義不大。
而在一般的845E芯片組則沒有那么幸運，即使在使用533MHz前端總線的Pentium 4處理器時，HOST/DRAM比率也只有1：1.5和1：2.0可選擇，而在使用400MHz外頻的處理器時間，HOST/DRAM需要保持1：2.66的比率才能使內(nèi)存跑在DDR266模式下，我們此次測試所用的七彩虹C.P4E ProII（魔法戰(zhàn)士）主板則是利用了這一點，設(shè)計出了在超頻模式下支持DDR400內(nèi)存的功能。
這片845E主板開放了在使用533MHz FSB處理器時HOST/DRAM的比率保持1：2.66的功能，因此只要將處理器OC到150外頻內(nèi)存則可跑在DDR400模式下，而對于大多數(shù)533MHz FSB的P4來說OC到150外頻穩(wěn)定工作并不困難。這樣也就讓眾多DDR400內(nèi)存有了用武之地。
注意：雖然許多主板（如，微星845E MAX2）BIOS給出的內(nèi)存調(diào)節(jié)選項不是直接的HOST/DRAM比率模式，而是“DDR200”，“DDR266”模式，但其實際工作原理也是通過HOST/DRAM比率變換，在超頻時需要特別注意，你如果你使用的是100MHz外頻P4處理器OC到133MHz外頻時，實際上你的內(nèi)存已經(jīng)跑在了DDR354下（BIOS選擇DDR266模式，HOST/DRAM時鐘保持1：2.66），因此許多人在超頻后發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定，就將超頻失敗的原因歸結(jié)于處理器的問題，實則是因為普通的DDR266或者DDR333內(nèi)存OC在DDR354并不穩(wěn)定所造成的，我們可以通過將內(nèi)存工作模式調(diào)整為“DDR200”來解決。
<
品質(zhì)一流的 Apacer DDR400 SDRAM內(nèi)存
Apacer DDR 400 SDRAM 采用Windond內(nèi)存顆粒
在零售市場上，單條256MB容量的DDR400 SDRAM內(nèi)存與DDR333內(nèi)存只有十幾元的差距，而在品質(zhì)上DDR400內(nèi)存更為出色，而且在超頻上DDR400表現(xiàn)更好，因此建議考慮購買DDR333內(nèi)存的用戶將目標轉(zhuǎn)移到DDR400內(nèi)存上來。
我們本次測試所使用的是宇瞻科技提供的DDR400 SDRAM。作為品牌內(nèi)存，Apacer一直享有良好的聲譽，在SDRAM時代，其一流的超頻性能給我們留下了非常深刻的印象，這條DDR400內(nèi)存采用Winbond （W942598BH-5）5納秒顆粒，單面封裝，零售產(chǎn)品附有完整的包裝盒。在測試中內(nèi)存相當穩(wěn)定，而即使將內(nèi)存CL值由默認的2.5調(diào)整為2時，仍可以穩(wěn)定工作。
256M Apaer DDR400 SDRAM內(nèi)存，同時Apaer也有512M DDR400的相應(yīng)產(chǎn)品
Apacer DDR400 SDRAM的SPD模塊
此條內(nèi)存采用了Winbond生產(chǎn)的5納秒的內(nèi)存顆粒<
七彩虹步入主板領(lǐng)域的時間并不長，以前我們對其產(chǎn)品了解并不多，但此次世和資訊送測的C.P4E Pro II（魔法戰(zhàn)士）以及C.P4E Pro（超頻戰(zhàn)士）主板給我們留下了非常好的印象，這款主板的最大特點就是BIOS中都可實現(xiàn)OC模式下的DDR400內(nèi)存的支持，并且相當多的超頻調(diào)節(jié)功能以及豐富的擴展性，都使得其成為我非常推崇的一款845E主板。（在這里只對C.P4E Pro II介紹，C.P4E Pro只是在前者的基礎(chǔ)上簡化了集成的網(wǎng)卡和雙BIOS，其它方面兩者均完全一致。）
七彩虹C.P4E Pro II主板采用了英特爾的845E芯片組，支持400MHz/533MHz前端總線Pentium 4處理器，通過與之搭配的ICH4南橋芯片，其可支持多達6個USB2.0設(shè)備，并且主板還集成了10/100M網(wǎng)卡、ATA/133 IDE RAID、六聲道AC’97音效芯片、3條DIMM、6條PCI以及一個AGP4X擴展槽，因此在未來擴展方面，這款主板為用戶留下了足夠充裕的空間。
內(nèi)存方面，七彩虹C.P4E Pro II主板通過特別的設(shè)計，BIOS中可支持HOST/DRAM實現(xiàn)1：266的比率，因此在使用133MHz外頻時可以最高支持DDR354內(nèi)存，并在在OC到150MHz外頻下可支持最強的DDR400內(nèi)存，最大容量可擴充到3GB。另外，最有特色的是這款主板BIOS中提供了“Over Clocking”功能異常豐富，在下頁我們可以看到，因此這款主板對于熱衷于超頻的發(fā)燒友也是個不錯的選擇。
其搭配南橋則采用ICH4芯片，其可支持6個USB2.0端口，ATA/100硬盤，同時通過在主板搭配ALC650 Codec芯片以支持6聲道輸出. 主板還集成了網(wǎng)絡(luò)控制芯片，提供了方便的10/100M網(wǎng)絡(luò)連接，并且通過與主板搭配的Winbond公司的Smart@IO芯片，其可以同時支持Smart CARD、Memroy STICK讀取裝置，你可以通過主板上的兩組端口分別連接所需的擴展設(shè)備。
在擴展槽方面主板共提供了1個AGP4X，6個PCI接口，兩組ATA/100 IDE端口，并且可以通過集成的Promise芯片另外支持兩組ATA/133 IDE RAID端口。在捆綁的軟件方面主板提供了金山毒霸2002以及驅(qū)動光盤一張，另外一般全中文的說明書也可以幫助初級用戶解決在主板中的一些困難。<
無論使用400還是533MHz前端總線的處理器DDR：CPU比例可始終設(shè)置為2.66X（倍）
外頻調(diào)節(jié)允許您在100Mz~248MHz線性調(diào)整
AGP/PCI總線頻率可固定設(shè)置為66MHz/33MHz，不會受到超頻的印象
處理器核心電壓調(diào)節(jié)也非常豐富，許多1.6A稍加電壓就可以O(shè)C到150MHz外頻
最搶眼的功能：當設(shè)置為150MHz外頻時，設(shè)置到2.66X，就可以讓845E支持DDR400內(nèi)存
用Pentium 41.6A處理器，在不增加核心電壓的情況下可OC到138MHz外頻，也相當不錯<
測試說明：
測試中將處理器外頻超至150MHz，DRAM與CPU外頻比例設(shè)置為1：2.66，此時內(nèi)存運行于DDR400模式下。
測試中除了選擇CPU：DRAM 1：2.66模式外（內(nèi)存運行于DDR400），還選擇了CPU：DRAM 1：2.0模式（內(nèi)存運行于DDR300）進行成績對比。
SiSoft Sandra 2002內(nèi)存子系統(tǒng)性能測試：
Cachmem內(nèi)存子系統(tǒng)性能測試：
Quake Arena OpenGL圖形性能測試：
3D Mark2001SE圖形D3D性能測試：
Super PI 性能測試：
MPEG2轉(zhuǎn)MPEG4視頻壓縮與WAVE轉(zhuǎn)MP3音頻壓縮性能：
測試結(jié)果一目了然，在所有測試項目中，工作在DDR400模式下的系統(tǒng)性能較工作在DDR300模式下的系統(tǒng)都保持領(lǐng)先。在內(nèi)存子系統(tǒng)測試SiSoft Sandra2002 Memory Test項目中，DDR400工作模式較DDR300工作模式ALU和FPU性能都分別提升了35%，而在內(nèi)存讀寫速度測試軟件Cacheman中，Read以及Wirte性能分別提升了42%和56%。
內(nèi)存帶寬的提升為Quake3 Arena Fastest模式下性能增加了11%，而隨著分辨率的提升提升幅度下降，但也有4 %的提升。3D Mark2001SE測試中，640×480 16bit分辨率下系統(tǒng)性能提升了6.5%，而在1024×768 32bit分辨率下性能提升了5%。
在數(shù)據(jù)密集運算測試Super PI中，運行1M單位的測試節(jié)省時間了6%，在下面的MPEG4視頻與MP3音頻壓縮測試中，DDR400所帶來的性能提升也顯而易見，在測試MPEG2視頻格式轉(zhuǎn)MPEG4視頻格式時，時間少消耗了5%，而在MP3音頻壓縮上所需總時間也更少。
測試總結(jié)：
七彩虹的P4E ProII（魔法戰(zhàn)士）以及P4E Pro（超頻戰(zhàn)士）主板通過特殊的設(shè)計，可以在OC模式下支持DDR400內(nèi)存，845E芯片組本身優(yōu)異的性能再加上DDR400內(nèi)存的輔助，為DIY用戶又提供了一種高性能的選擇。
值得一體的是，Apacer（宇瞻）出品的DDR內(nèi)存售價同市面上出售的同等規(guī)格的現(xiàn)代DDR內(nèi)存相當，而且很多533MHz前端總線的Pentium 4處理器穩(wěn)定OC在150MHz幾乎沒有問題，而品質(zhì)稍好的Pentium 4 1.6A處理器不加電壓或者稍加電壓就也可以O(shè)C上150MHz外頻，如此搭配不愧為一種超值的選擇。<
關(guān)注我們
