DIY玩家進階寶典 三星內(nèi)存顆粒全攻略

    市場上的內(nèi)存品牌雖然多如牛毛，但其采用的芯片則不外乎三星、現(xiàn)代、英飛凌等這幾家。其中又以三星的顆粒最多內(nèi)存品牌采用，當(dāng)然，并不是只要使用三星的顆粒內(nèi)存的性能就一樣，因為顆粒也有等級和型號之分，不同等級/型號的顆粒，其性能也會有所區(qū)別。那么我們該如何判斷顆粒的好壞呢？下面筆者就給玩家們介紹一下三星內(nèi)存顆粒中的主流編號。

    注：三星內(nèi)存顆粒上的編號“TC”，其中的“T”代表采用TSOP封裝方式。

● 三星主流DDR系列內(nèi)存芯片：

    三星TCB3顆粒：

　　TCB3是三星推出的6ns DDR顆粒，可以穩(wěn)定地工作在PC2700, 2-2-2-X的時序，參數(shù)非常優(yōu)秀，此外它同樣可以工作在PC3200，但是不能繼續(xù)維持這么高的時序，200MHz時的時序為2-3-3-6，不過也已經(jīng)很不錯了。TCB3的頻率極限在230MHz左右，對于對于默認為166MHz的內(nèi)存來說超頻幅度很大，TCB3對于電壓并不太敏感，3.0V電壓下頻率提升也不是很大?，F(xiàn)在來看這種顆粒有些過時。

    三星TCCC顆粒：

　　TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面編號為“C”的顆粒，表示其PC3200時預(yù)設(shè)CAS值為3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的時序，而默認200MHz時可以保持2.5-3-3-6的時序，由于TCCC顆粒的售價比較便宜，因此和現(xiàn)代的D43一起成為性價比出色的代表。此外不少DDR500內(nèi)存同樣采用了TCCC顆粒，不過由于已經(jīng)接近極限頻率，留給這款內(nèi)存的超頻空間已經(jīng)很小了。電壓對于TCCC顆粒的超頻有一定的影響，不過在2.8V時已經(jīng)基本可以達到最高頻率。

　　三星TCC4顆粒：

　　TCC4：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400內(nèi)存顆粒，不過并不常見，在一些品牌的PC3200低端內(nèi)存甚至是PC2700內(nèi)存上面可以看到它。TCC4并不太適合超頻用戶，因為在加壓情況下最高也只能穩(wěn)定在210-220MHz，3-3-3-X的時序模式下，對電壓很不敏感，只適合追求容量和性價比的用戶。

● 三星高端DDR系列內(nèi)存芯片：

　　三星TCC5顆粒：

　　TCC5：TCC5是三星TCC系列的一款新產(chǎn)品，在各方面比它的前輩TCC4都要優(yōu)秀很多，一般多用在DDR466內(nèi)存產(chǎn)品上，超頻性能很不錯。這款內(nèi)存的默認工作頻率為233MHz，初始頻率比TCC4要高，默認工作時序可以達到2.5-3-3-X，在超頻模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的時序下，對于電壓也不太敏感。這款顆粒相比TCCC和現(xiàn)代的D43來說并不常見，售價相對較高，對于AMD,Intel的平臺都比較適應(yīng)，200MHz下可以提供不錯的時序，而超頻狀態(tài)下可以提供不錯的頻率，是一個不錯的選擇。

　　三星TCCD顆粒：

　　TCCD：TCCD是另一款經(jīng)典高頻顆粒，可以在2-2-2-X的時序下穩(wěn)定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時序下以超過300MHz的頻率穩(wěn)定運行，是目前工作頻率最高的DDR內(nèi)存芯片。TCCD對于電壓的比較敏感，但是并不需要太高的電壓就可以完全進入高效狀態(tài)，在2.8V或者更低電壓下即可達到，幾乎適用于所有的主流主板。目前采用TCCD顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品在絕大多數(shù)主板上可以輕松達到DDR600的水準(zhǔn)，可以滿足不同用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時候的參數(shù)不足可以通過更高的工作頻率來彌補。目前幾乎所有的內(nèi)存頻寬記錄都是由TCCD創(chuàng)造的，不少采用TCCD顆粒的品牌內(nèi)存已經(jīng)成為超頻玩家們追捧的對象。

　　三星UCCC顆粒：

　　此外三星UCCC內(nèi)存顆粒低延遲特性也為玩家所追捧，選用UCCC顆粒的DDR400內(nèi)存條，默認工作時序為3-3-3-6，在不加電壓超頻模式下，可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相對價格也要便宜一些，非常適合大眾選擇。

● 三星DDR2系列內(nèi)存芯片：

    DDR2時代，三星全面進入到GC和ZC(G為FBGA封裝方式，Y為FBGA-LF)系列，另外還有SC和YC，并采用90nm生產(chǎn)工藝，使相同晶元可以生產(chǎn)出更多的顆粒，從而降低了成本。YC是外形最小的一種封裝方式，性能表現(xiàn)也最好，現(xiàn)在市面上很少見到。

 

    使用三星ZCD5顆粒的三星金條DDR2-533內(nèi)存在不加電壓超頻情況下，能夠以4-4-4-X的時序穩(wěn)定工作在DDR2-667模式，超頻能力非常強悍。

 

 

    當(dāng)前主流的三星金條DDR2-667，采用ZCE6顆粒，默認CL值為4。通過提升電壓的手段，運行頻率可以達到750MHz，甚至更高。

 

 

    ZEC7顆粒，用于當(dāng)前三星最高端的金條DDR2-800，也被多數(shù)其它內(nèi)存品牌所采用。

 

 

    整體來看，目前較常見到的三星DDR2內(nèi)存顆粒有有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/ZCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/ZCE7(多用于DDR2-800)等；這些內(nèi)存顆粒在超頻方面同樣有著不容小視的實力，且仍保持低延遲風(fēng)格。不過經(jīng)過編號更改后(由SAMSUNG改為SEC)，默認時序參數(shù)已設(shè)定得較為保守，不過某些DDR2-533默認延遲仍設(shè)定在4-4-4-10上。

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DDR	容量	規(guī)格	臺式機內(nèi)存	供貨情況	最新價格
DDR SDRAM	256MB	PC400	32*8 (8)	正常	￥170.00
DDR SDRAM	512MB	PC400	64*8(8)	正常	￥370.00
DDR SDRAM	1024MB	PC400	64*8(16)	正常	￥765.00
DDR2
DDR2 SDRAM	256MB	PC400	64*8(4)	正常	￥175.00
DDR2 SDRAM	256MB	PC533	64*8(4)	正常	￥195.00
DDR2 SDRAM	512MB	PC533	64*8(8)	正常	￥370.00
DDR2 SDRAM	1GB	PC533	64*8(16)	正常	￥780.00
DDR2 SDRAM	256MB	PC667	32*8(8)	正常	￥210.00
DDR2 SDRAM	512MB	PC667	64*8(8)	正常	￥450.00
DDR2 SDRAM	1GB	PC667	64*8(16)	正常	￥810.00
DDR2 SDRAM	512MB	PC800	64*8(8)	缺貨

咨詢方式：鼎好4161  010-82697213

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