290元買DDR2-800 晶芯"神奇"內(nèi)存測(cè)試
測(cè)試標(biāo)題290元買DDR2-800 晶芯"神奇"內(nèi)存測(cè)試
2006年08月04日 07:12作者：郭闖編輯：郭闖文章出處：泡泡網(wǎng)原創(chuàng)
晶芯（GeeDom）是最近內(nèi)存市場(chǎng)上新亮相的一個(gè)品牌，對(duì)國(guó)內(nèi)大陸用戶而言它是一個(gè)陌生的新秀，不過(guò)在歐美地區(qū)，晶芯可以說(shuō)是與金士頓、威剛等齊名的知名內(nèi)存品牌。在業(yè)界幾大內(nèi)存廠商中，晶芯最晚進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)，05年初進(jìn)入中國(guó)，初期主要國(guó)內(nèi)以拓展OEM業(yè)務(wù)為主。今年六月，晶芯品牌內(nèi)存才開(kāi)始在零售市場(chǎng)上市，因此許多消費(fèi)者對(duì)它還比較陌生。
晶芯科技股份有限公司（Goldenmars, Inc.簡(jiǎn)稱GMI）自1997年于美國(guó)加州硅谷成立以來(lái), 致力于內(nèi)存應(yīng)用與服務(wù)。本著良好的信譽(yù)、優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)以及靈活的市場(chǎng)反應(yīng)而馳名于業(yè)界。“12年內(nèi)存制造經(jīng)驗(yàn)、9年國(guó)際品牌運(yùn)作、3年全球免費(fèi)保修”，這是對(duì)晶芯科技和其主力產(chǎn)品內(nèi)存條的簡(jiǎn)要描述。今天，我們首先為大家介紹這款來(lái)自晶芯的DDR2-533 512MB規(guī)格內(nèi)存。
晶芯DDR2-533內(nèi)存采用唯美大方的產(chǎn)品包裝，黑與白的色彩交錯(cuò)簡(jiǎn)約大氣，沒(méi)有半點(diǎn)的雜亂浮華。國(guó)畫(huà)風(fēng)格的雄鷹站在巖石之上俯視著下方，大有“一覽眾山小”的傲然之勢(shì)，似乎隨時(shí)準(zhǔn)備展翅高飛，也代表著晶芯的飛得更高更遠(yuǎn)的雄心壯志。
晶芯DDR2-533 512MB內(nèi)存采用專業(yè)的六層翠綠色PCB基板，走線清晰，采用的大面積覆銅設(shè)計(jì)，有效屏蔽了電磁干擾。金手指部分排列勻稱，色澤鮮亮，大量8腳電阻，排列整齊，從制造工藝來(lái)看充分顯示出
晶芯內(nèi)存一線大廠的制造風(fēng)范。
從內(nèi)存的規(guī)格標(biāo)簽上可以很清楚的看到，這款內(nèi)存容量為512MB，工作頻率為533MHz，采用64MB×8單面顆粒設(shè)計(jì)，CL值為4。單從表面來(lái)看，還不知道這款晶芯DDR2內(nèi)存采用哪款DDR2內(nèi)存顆粒，稍候在后面的上機(jī)測(cè)試中我們將有更詳細(xì)的介紹。
隨著AMD加大力度推廣AM2平臺(tái)的全民普及，在DDR2內(nèi)存關(guān)注度巨幅升溫的同時(shí)，雙通道內(nèi)存在當(dāng)前以及未來(lái)的市場(chǎng)中也占據(jù)絕對(duì)主流地位。因此在下面的測(cè)試中，我們將采用兩根晶芯DDR2-533 512MB內(nèi)存構(gòu)建1GB內(nèi)存容量平臺(tái)，讓近期打算購(gòu)買內(nèi)存的朋友對(duì)這款產(chǎn)品有一個(gè)更直觀的了解。
● 晶芯DDR2-533——默認(rèn)頻率下常規(guī)測(cè)試：
硬件系統(tǒng)配置 |
處理器 | Intel Core 2 Duo Conroe E6400
( 65 nm, 2.133GHz, 2 MB L2 Cache) |
主板 | 映泰Tforce P965 Deluxe (Intel P965+ICH8) |
內(nèi)存 | 晶芯DDR2-533 512MB (CL 4-4-4-12) ×2 |
硬盤(pán) | 希捷Seagate ST380011AS
80GB, 7,200 RPM, 2 MB Cache, SATA/150 |
顯卡 | NVIDIA GeForce 7900 GT （450MHz/1300MHz） |
電源 | 七盟Seventeam ST-55EAJ-05A，550 W |
測(cè)試平臺(tái)
映泰Tforce P965 Deluxe BIOS設(shè)置
測(cè)試平臺(tái)采用近期熱門的“扣肉”+P965主板組合，選用超頻性能不錯(cuò)映泰Tforce P965 Deluxe，BIOS中有DDR2-533、DDR2-667以及DDR2-800三項(xiàng)選擇，可以與CPU異步測(cè)試。DIMM電壓1.8V-2.2V可調(diào)節(jié)，方面我們進(jìn)行超頻測(cè)試。
CPUZ 1.35檢測(cè)信息
CPUZ 1.35檢測(cè)信息
CPUZ 1.35對(duì)這款內(nèi)存檢測(cè)的信息非常詳細(xì)，默認(rèn)266MHz（PC4300）下的SPD時(shí)序?yàn)?-4-4-12，與其標(biāo)稱完全相符。同時(shí)得知其采用日系Elpida內(nèi)存顆粒，生產(chǎn)周期為06年第15周。在下欄的頻率及SPD參數(shù)信息表中，可以看到有三組不同頻率的信息，分別是200MHz 3.0-3-3-9、266MHz 4.0-4-4-12、266MHz 5.0-4-4-12，應(yīng)該說(shuō)這款內(nèi)存的默認(rèn)設(shè)置還是比較保守的。
SuperPI 1MB運(yùn)算測(cè)試
首先進(jìn)行了常規(guī)的SuperPI 1MB測(cè)試，憑借Conroe E6400的出色表現(xiàn)，測(cè)試成績(jī)?yōu)?6.985s。
PCMark05內(nèi)存子系統(tǒng)測(cè)試
PCMark05一直是我們常用的整機(jī)測(cè)試軟件，不過(guò)今天我們只單獨(dú)測(cè)試了內(nèi)存子系統(tǒng)的性能，533MHz 4-4-4-12默認(rèn)設(shè)置下，晶芯DDR2-533 測(cè)試成績(jī)?yōu)?523分。
SiSoftware Sandra 2007內(nèi)存帶寬測(cè)試
在SiSoftware Sandra 2007測(cè)試中，我們進(jìn)行了常規(guī)的內(nèi)存帶寬性能測(cè)試，晶芯DDR2-533內(nèi)存測(cè)試成績(jī)?yōu)?766MB/s，這一結(jié)果與大多數(shù)DDR2-533內(nèi)存的測(cè)試成績(jī)相當(dāng)。
●小結(jié)：
在默認(rèn)頻率的常規(guī)測(cè)試下，晶芯DDR2-533的測(cè)試結(jié)果可以說(shuō)在我們意料之中。之前小編還擔(dān)心P965主板對(duì)內(nèi)存的兼容性問(wèn)題，不過(guò)在實(shí)際測(cè)試中并沒(méi)有發(fā)生，晶芯內(nèi)存的出廠前兼容性檢測(cè)還是很完備的。
● 晶芯DDR2-533——默認(rèn)電壓下超頻測(cè)試：
測(cè)試一款內(nèi)存品質(zhì)差異好與壞，超頻測(cè)試無(wú)疑是重中之重，首先在默認(rèn)電壓1.8V下，我們嘗試對(duì)這款內(nèi)存的頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)。將頻率調(diào)節(jié)至667MHz延續(xù)4-4-4-12的默認(rèn)時(shí)序下無(wú)法開(kāi)機(jī)，將參數(shù)降低為4-5-5-15可以正常啟動(dòng)進(jìn)入系統(tǒng)，并且通過(guò)穩(wěn)定性能測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如下：
CPUZ 1.35檢測(cè)信息
開(kāi)機(jī)后，CPUZ 1.35檢測(cè)其頻率為333.4MHz等效于DDR2-667，由于我們僅對(duì)內(nèi)存頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此此處顯示前端總線與內(nèi)存頻率比值為4:5。同時(shí)，在提供頻率的情況下內(nèi)存工作時(shí)序已經(jīng)降低至4-5-5-15。
SuperPI 1MB運(yùn)算測(cè)試
在內(nèi)存頻率與系統(tǒng)前端總線異步的情況下，SuperPI 1MB的測(cè)試成績(jī)并沒(méi)有明顯提高。而根據(jù)我們之前的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，SuperPI是一款對(duì)內(nèi)存參數(shù)比較敏感的測(cè)試軟件。
PCMark05內(nèi)存子系統(tǒng)測(cè)試
在PCMark05內(nèi)存子系統(tǒng)測(cè)試中，最終測(cè)試成績(jī)?yōu)?680分，相比之前內(nèi)存頻率533MHz 4-4-4-12條件下，測(cè)試結(jié)果提升了157分。
SiSoftware Sandra 2007內(nèi)存帶寬測(cè)試
在SiSoftware Sandra 2007內(nèi)存帶寬測(cè)試中，測(cè)試成績(jī)終于突破了5000分大關(guān)。相比默認(rèn)DDR2-533來(lái)說(shuō)，DDR2-667內(nèi)存提供的高內(nèi)存帶寬優(yōu)勢(shì)是顯而易見(jiàn)的！
●小結(jié)：
默認(rèn)電壓下，晶芯DDR2-533可以超頻至DDR2-667，雖然在參數(shù)方面有一些損失，不過(guò)這樣的結(jié)果我們還是非常滿意的！
● 晶芯DDR2-533——極限電壓下超頻測(cè)試：
有了剛才的超頻基礎(chǔ)，我們開(kāi)始摸索這款內(nèi)存的超頻極限。通常來(lái)說(shuō)，DDR2內(nèi)存的安全電壓極限在2.5V內(nèi)，于是小編將內(nèi)存頻率鎖定在800MHz，主板BIOS中的DIMM電壓直調(diào)到2.2V，這也是這款主板的最高可調(diào)DIMM電壓。
CPUZ 1.35檢測(cè)信息
這款標(biāo)稱DDR2-533規(guī)格的內(nèi)存，竟然可以在800MHz下神奇般的進(jìn)入系統(tǒng)。經(jīng)過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化調(diào)節(jié)，工作時(shí)序最終設(shè)定在3-6-6-18，其中CL值要比許多標(biāo)準(zhǔn)的DDR2-800內(nèi)存還要低！由于CPU外頻依然默認(rèn)在266MHz下，此時(shí)CPU-Z檢測(cè)信息顯示前端總線與內(nèi)存頻率比值為2:3。
SuperPI 1MB運(yùn)算測(cè)試
PCMark05內(nèi)存子系統(tǒng)測(cè)試
SiSoftware Sandra 2007內(nèi)存帶寬測(cè)試
隨著內(nèi)存頻率的進(jìn)一步提升，SuperPI、PCMark05與SiSoftware Sandra 2007的測(cè)試成績(jī)也相應(yīng)得到了提高，這里我們便不做過(guò)多敘述了?？梢钥隙ǖ氖?，隨著系統(tǒng)前端總線與內(nèi)存頻率的同步提升，超頻后的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)將會(huì)更加明顯。
● 總結(jié)：
晶芯內(nèi)存已經(jīng)在市場(chǎng)中大批量鋪貨
作為一個(gè)剛剛進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)不久的內(nèi)存品牌，晶芯推出的入門級(jí)DDR2-533規(guī)格內(nèi)存可以說(shuō)令我們“大跌眼鏡”。一款DDR2-533規(guī)格的內(nèi)存竟然超頻至DDR2-800，同時(shí)還可以保持CL=3，這也與晶芯內(nèi)存精選的Elpida內(nèi)存顆粒，加之優(yōu)秀的PCB做工品質(zhì)是分不開(kāi)的。目前這款晶芯DDR2-533 512MB規(guī)格內(nèi)存的市場(chǎng)價(jià)格僅為290元，是否超值相信不用小編再多說(shuō)，喜歡超頻，同時(shí)又追求產(chǎn)品性價(jià)比的朋友不妨留意一下這款來(lái)自晶芯的“神奇內(nèi)存”。
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