Qimonda突破極限 欲推58納米DRAM制程
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內(nèi)存制造商Qimonda AG的工程師日前表示，該公司計(jì)劃在2006年12月舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議(IEDM)上，就58納米DRAM制造工藝技術(shù)進(jìn)行演講報(bào)告。
Qimonda的研究人員預(yù)計(jì)將展示完整的58納米過(guò)程技術(shù)，他們?cè)?jīng)用將此技術(shù)于制造512Mb容量DRAM，工作電壓為1.2V和1.35V之間，存取時(shí)間支持每通道數(shù)據(jù)率3.2Gbps。根據(jù)報(bào)告摘要顯示，這個(gè)DRAM技術(shù)具有一個(gè)擴(kuò)展的U形單元結(jié)構(gòu)，一種金屬絕緣體硅溝狀電容，帶有不導(dǎo)電的高k門電路，k=2.8的絕緣體用于末端互連。
目前，生產(chǎn)DRAM內(nèi)存具有實(shí)用價(jià)值的非常先進(jìn)工藝為70納米至80納米范圍。三星電子宣稱，開始在2006年8月使用80納米工藝批量生產(chǎn)1GB容量DRAM內(nèi)存。
Qimonda于2006年8月從母公司英飛凌中分離出來(lái)，將內(nèi)存制造業(yè)務(wù)通過(guò)IPO而成立。
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