三星美光預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)1x nm 內(nèi)存芯片
隨著美光前不久把臺(tái)灣南亞科技納入囊中,DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大廠商的主力制程工藝才剛進(jìn)入20nm,但是20nm工藝看樣子也只是過渡了,因?yàn)槿?、SK Hynix明年就要量產(chǎn)1x nm工藝的DRAM顆粒,三星最早是明年Q1季度,美光雖然進(jìn)度最慢,但也表態(tài)爭(zhēng)取在明年量產(chǎn)1x nm工藝。
來自韓國(guó)ETNEWS的報(bào)道稱,三星、SK Hynix及美光這三家廠商都在致力于明年量產(chǎn)1x nm工藝的DRAM芯片,其中三星的進(jìn)度最快,他們?nèi)ツ?月份才量產(chǎn)了20nm工藝,但現(xiàn)在正在修改工藝,已經(jīng)完成了1x nm工藝的的量產(chǎn)驗(yàn)證工作,明年Q1季度就要量產(chǎn)新工藝DRAM內(nèi)存。
SK Hynix的進(jìn)度比三星略慢,2016年他們計(jì)劃提升20nm工藝DRAM芯片的產(chǎn)能,但2016年上半年也會(huì)完成1x nm工藝的DRAM開發(fā)工作,2016年下半年?duì)幦×慨a(chǎn)。
在這三家中美光這兩年的表現(xiàn)就比較差了,工藝進(jìn)度也比韓國(guó)兩家公司落后1-2代,不過美光CEO Mark Durcan也表態(tài)稱2016年他們的目標(biāo)除了提升20nm產(chǎn)能之外,也爭(zhēng)取開始量產(chǎn)1x nm工藝的RAM芯片。
原文說的這個(gè)1x nm等同于18nm工藝,但實(shí)際上并沒有這么簡(jiǎn)單,并不是從數(shù)字20到18這么簡(jiǎn)單,如果制程只是改變了2個(gè)nm,廠商肯定不會(huì)這么大動(dòng)干戈。在存儲(chǔ)芯片從20+nm進(jìn)入10+nm工藝之后,廠商對(duì)工藝的描述已經(jīng)不再使用具體的數(shù)字了,20nm之后是1x nm工藝,再往后則是1y nm工藝,還有1z nm工藝的說法,至于XYZ具體的含義,由于每家公司的工藝并不一樣,所以缺少詳細(xì)的解釋?!?/p>
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