DRAM漲價最大根源：三星轉(zhuǎn)換制程受挫
來自臺灣DigiTimes的消息——全球先進(jìn)大DRAM制造商三星電子（Samsung Electronics）原預(yù)期在2006年第二季初，80納米制程產(chǎn)品應(yīng)開始小量供貨，但為了避免旺季來臨時，因80納米制程轉(zhuǎn)換遇到瓶頸而喪失市場，三星臨時更換投片策略，將先行挪出8吋廠產(chǎn)能采用0.11微米制程來接棒，待需求轉(zhuǎn)弱時再投入80納米制程量產(chǎn)；目前初步估計最快也要等到2007年第一季左右，80納米制程才有產(chǎn)品產(chǎn)出，但可預(yù)期的是，全球DRAM市場將因三星的錯估制程轉(zhuǎn)換順暢度而大受影響。
據(jù)了解，三星電子轉(zhuǎn)進(jìn)90納米制程時間已幾乎長達(dá)1～2年，且制造良率相當(dāng)穩(wěn)定，因此認(rèn)為要挺進(jìn)80納米制程并非難事，原本估計2006年4月就會有比90納米的C代產(chǎn)品更進(jìn)一階段，采用80納米所制造的D代產(chǎn)品出現(xiàn)；不過，由于80納米并非如當(dāng)初想象容易，導(dǎo)致4月起迄今僅能采90納米制程投產(chǎn)DRAM。
但正因80納米出現(xiàn)瓶頸，因此導(dǎo)致這部份原本所估算新增產(chǎn)能，到現(xiàn)在遲遲無法開出，才會造成全球DRAM市場供貨持續(xù)處于吃緊狀態(tài)，而面對一連串市場需求旺季，三星立即做出決定，將改由8吋廠重?fù)?dān)重任，先用舊的0.11微米制程于8吋廠投產(chǎn)，而所生產(chǎn)商品則先稱之為D代商品，而接下來到80納米時所生產(chǎn)商品，才會稱之為E代DRAM產(chǎn)品。
三星當(dāng)前雖有12吋晶圓廠，且也均已營運相當(dāng)長一段時間，照理來說如將0.11微米制程用在12吋廠應(yīng)無太大問題，但由于當(dāng)下12吋廠大多已轉(zhuǎn)近90納米制程，且更重要的在于12吋廠對于三星來說大多需生產(chǎn)較高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之際三星根本無多余12吋廠產(chǎn)能可用于投產(chǎn)80納米，因而才會選擇采用0.11微米制程投入8吋廠量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，不過眾所皆知這應(yīng)僅是在此趕工時間點的權(quán)宜之計。
DRAM廠指出，就連全球制程可說是領(lǐng)先群雄的三星，到了80納米制程似乎也有些許困難，也難怪其余DRAM廠在當(dāng)下無論是溝槽式（Trench）或堆棧式（Stack）的DRAM廠，在由90納米制程進(jìn)入到70納米制程時，也均遇上同樣問題，造成近來全球DRAM市場供貨會如此吃緊。
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