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替代閃存!Intel計劃今年初推相變內(nèi)存

    Intel計劃于2007年上半年推出90nm制程128Mbit規(guī)格的相變內(nèi)存，在2007年底應(yīng)來大規(guī)模量產(chǎn)。Intel 閃存部門的副總裁Brian Harrison和首席技術(shù)官員Ed Doller在3月6號的會議上透露，Intel早在2000年就從Ovonyx（Energy Conversion Devices的子公司）那里獲得了授權(quán)研究相變存儲技術(shù)，而在2006年6月，Intel也和STMicroelectronics合作，研究將相變內(nèi)存代替閃存作為下一代非易失性存儲設(shè)備。

    對將相變內(nèi)存作為閃存替代方案的公司越來越多，例如奇夢達（前Infineon內(nèi)存業(yè)務(wù)部）和IBM合作在進行相關(guān)研究。

    Ed Doller會上還表示，128Mbit存儲設(shè)備已經(jīng)測試證明能經(jīng)過1億次擦寫以及保存資料10年以上。他還表示相變內(nèi)存有可能會作為部分PC系統(tǒng)里的內(nèi)存。