10nm戰(zhàn)三代 Intel的7nm工藝恐推至2020年
在半導(dǎo)體制造工藝上，Intel之前是絕大的老大，領(lǐng)先三星、TSMC、GlobalFoundries公司一兩年（Intel自己的說法是領(lǐng)先友商三年半），但是在14nm工藝上，Intel的Tick-Tock鐘擺戰(zhàn)略失效，升級換代周期從2年延長到2.5年了，今年下半年的主力還是14nm工藝的Kabylake，10nm Cannonlake延期到了2017年Q3季度，但是這還不算完，7nm工藝可能還要晚一些，恐怕要等到2020年才能量產(chǎn)了，10nm工藝節(jié)點(diǎn)至少會有Cannonlake、Icelake、Tigerlake三代產(chǎn)品。
在半導(dǎo)體工藝上，三星、TSMC這兩家最為活躍，F(xiàn)inFET工藝之前他們比Intel的工藝落后一兩代，但他們現(xiàn)在比Intel高調(diào)多了，TSMC昨天還宣稱2018年量產(chǎn)7nm工藝，2020上半年就能量產(chǎn)5nm工藝，三星雖然沒有TSMC這么“夸張”，不過去年底也制造出了10nm SRAM緩存，7nm也在路上了。
半導(dǎo)體制造工藝非常依賴材料、電子、物理等基礎(chǔ)科學(xué)，這都需要長時間的技術(shù)積淀，雖然不能完全排除三星、TSMC獲得黑科技的可能性，但小編其實(shí)并不怎么相信三星和TSMC兩家新工藝的進(jìn)度，幾無可能一兩年內(nèi)就在工藝研發(fā)上面超過Intel公司，而且實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)出新工藝跟大規(guī)模量產(chǎn)新工藝并不是一回事。
再回到Intel上來，他們2年升級一次新工藝的計劃已經(jīng)失效了，由于10nm之后半導(dǎo)體工藝越來越復(fù)雜，進(jìn)度不可避免地要推遲，新工藝處理器升級周期也要拉長，簡單梳理一下就是：
2013年：Haswell架構(gòu)，22nm 3D晶體管工藝
2014年：Broadwell架構(gòu)，14nm 3D晶體管工藝
2015年：Broadwell、Skylake架構(gòu)，14nm 3D晶體管工藝
2016年：Kabylake架構(gòu)，14nm 3D晶體管工藝
以上是已經(jīng)確定的了，今年下半年還是14nm工藝，不過架構(gòu)從skylake升級到kabylake，CPU架構(gòu)小改，GPU可能會有明顯升級，之前有消息提到會引入GT4級別核顯，eDRAM緩存容量容量翻倍到256MB。
2017年：Cannonlake架構(gòu)，10nm工藝
2018年：Icelake架構(gòu)，10nm工藝
2019年：Tigerlake架構(gòu)，10nm工藝
明年Q3季度發(fā)布首款10nm工藝的Cannonlake架構(gòu)處理器也是之前確定的了，再往后是Icelake，之前有消息提到Intel在Haswell上引入、Skylake上去除的FIVR模塊可能會重新回歸，用在Icelkae處理器上，預(yù)計2018年下半年發(fā)布。
如果屆時7nm工藝還不夠成熟，傳聞稱Intel還準(zhǔn)備了第三款10nm工藝的處理器Tigerlake，預(yù)計會在2019年發(fā)布。
這么算來，7nm工藝最可能的時間是要等到2020年了，不過現(xiàn)在連產(chǎn)品名稱還沒有呢?！?/p>
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