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IDF07：Intel展示PRAM看能否取代DRAM

    英特爾公司的技術(shù)總監(jiān)拉特納計劃在IDF技術(shù)峰會上，首次公開演示其PRAM技術(shù)。PRAM是由英特爾和數(shù)家其它公司聯(lián)合開發(fā)的一種非揮發(fā)性內(nèi)存,被認為可能取代閃存，甚至是DRAM.與DRAM不同的是，在產(chǎn)品掉電前，閃存等非揮發(fā)性內(nèi)存不會丟失存儲的信息。但是，與DRAM相比，閃存讀寫數(shù)據(jù)的速度要慢得多，而且容量較小，制造成本也更高。

    其實，英特爾早期就已經(jīng)計劃在今年上半年出樣90nm工藝128MBIt（16MB）的FPRM，PRAM也就是－－Phase-change random access memory相變隨機存取儲存器的簡稱，PRAM類似于目前大家常見的CDRW盤片，其可以在一定情況下從非晶態(tài)轉(zhuǎn)化到晶體狀態(tài)，具體其通過加熱一個由摻雜硫族化合物組成的薄膜，這種電流可以使儲存單元在阻性非晶態(tài)和導(dǎo)性晶體狀態(tài)這兩種狀態(tài)下進行切換。

   英特爾和其它公司都希望PRAM能夠取代NOR和NAND閃存，提高PRAM芯片的需求，降低其生產(chǎn)成本。閃存被廣泛應(yīng)用在手機和其它便攜式產(chǎn)品中，但也能被應(yīng)用在PC中。閃存還是英特爾Robson閃存緩沖技術(shù)的核心。PRAM的應(yīng)用范圍與閃存一樣，英特爾正在調(diào)查PRAM的新用途，看它是否能夠取代DRAM，它的性能似乎不弱于DRAM。即使證明PRAM能夠取代DRAM，它也不可能完全取代DRAM。