7nm工藝關(guān)鍵設(shè)備EUV光刻機(jī)產(chǎn)能提升
我們都知道半導(dǎo)體工藝越先進(jìn)越好，用以衡量工藝進(jìn)步的就是線寬，常說(shuō)的xxnm工藝就代表這個(gè)，這個(gè)數(shù)字越小就代表晶體管越小，晶體管密度就越大。現(xiàn)在半導(dǎo)體公司已經(jīng)進(jìn)軍10nm工藝，但面臨的物理限制越來(lái)越高，半導(dǎo)體工藝提升需要全新的設(shè)備。EUV即紫外光刻機(jī)就是制程突破10nm及之后的7nm、5nm工藝的關(guān)鍵，現(xiàn)在ASML公司的EUV光刻機(jī)正在不斷提高產(chǎn)能和可靠性，但距離量產(chǎn)還有一段距離。
EUV要想獲得突破，需要不斷提升光源強(qiáng)度和可靠性。來(lái)自EE Times的報(bào)道稱，荷蘭ASML及TSMC臺(tái)積電在上周宣布他們的原型機(jī)上測(cè)試了85W光源，之后很快會(huì)提升到125W。ASML之前演示過(guò)185W光源的EUV光刻機(jī)，并許諾年底前會(huì)進(jìn)一步提高到250W。
現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)可靠性已經(jīng)提高到了有70%的工作時(shí)間，每天可以處理500-600個(gè)晶圓，相比去年的情況已經(jīng)有很大改善，但這遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠量產(chǎn)水平。ASML公司EUV項(xiàng)目總監(jiān)Frits van Hout表示現(xiàn)在距離EUV應(yīng)該達(dá)到的水平還有2-3步?，F(xiàn)在出貨的EUV光刻機(jī)會(huì)升級(jí)，預(yù)計(jì)今年底達(dá)到應(yīng)有的水平。
芯片制造商預(yù)計(jì)會(huì)在2018年使用EUV工藝生產(chǎn)芯片，屆時(shí)ASML的EUV光刻機(jī)有助于降低7nm工藝的成本。
雖然EUV工藝確實(shí)實(shí)現(xiàn)了預(yù)定目標(biāo)，但由于產(chǎn)能和可靠性的問(wèn)題，該項(xiàng)目已經(jīng)多次延期，到了5nm及3nm節(jié)點(diǎn)，EUV可能還需要一次升級(jí)。ASML正為此與相關(guān)方討論具體的配置和時(shí)間細(xì)節(jié)。
值得一提的是，目前在EUV工藝上，TSMC比Intel要積極得多，此前TSMC就表示會(huì)在10nm工藝上使用EUV工藝，而Intel表示過(guò)就算沒(méi)有EUV工藝，他們也懂得如何制造芯片。不過(guò)如果EUV工藝真的能如期量產(chǎn)，Intel也會(huì)在7nm節(jié)點(diǎn)上啟用EUV工藝?！?/p>
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