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工藝大變遷 DRAM首次進入54納米級別

    隨著功耗逐漸被重視，處理器宣布也進入45nm級別，使得處理器性能更強、功耗更低。緊接著記憶體業(yè)也有好消息傳出，Hynix宣布正式推出54nm工藝1Gb DDR2 DRAM記憶體，并得到Intel的認證許可，這也是記憶體業(yè)內首次進入50nm工藝技術的級別。

    Hynix表示，54nm工藝的記憶體晶片將在明年下半年投產，主要應用于生產DDR2和DDR3記憶體晶片，容量為1Gb、2Gb，同時在顯存和移動記憶體晶片方面也有涉及。

    更先進的工藝制程將有效減小電子產品的面積，因此，54nm的記憶體晶片相比60nm而言，減小了將近40%。不僅有效的解決了功耗問題，同時也大大降低了生產成本。在節(jié)能降耗方面，Hynix還提出了“三維電晶體”架構和“W-DPG”的技術。“三維電晶體”架構和“W-DPG”的技術的原理類似于本次45nm處理器的金屬電晶體閘門與高K-金屬柵極，有效減小內部電流的損失，從而根本性的解決功耗問題，有效降低總體功耗，讓電腦平臺效能更高。