國商威武!中芯國際40nm造全新PRAM內(nèi)存
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目前，國內(nèi)最大的晶圓代工廠當屬中芯國際，除了處理器業(yè)務(wù)之外，他們現(xiàn)在又打算把觸手伸向存儲芯片行業(yè)。2014年9月，中芯國際成功的自主研發(fā)了采用38nm工藝的NAND閃存芯片。
日前，中芯國際與Crossbar公司成功簽署了一項合作協(xié)議。協(xié)議的內(nèi)容包括，中芯國際將使用40nm工藝為Crossbar代工PRAM阻變式存儲器芯片，這項協(xié)議的簽署代表中芯國際成功進軍下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。
PRAM阻變式存儲器，亦可稱之為相變內(nèi)存，其使用硫化物玻璃進行制造，芯片的特點在于，硫化物玻璃受熱后可以在晶體和非晶體之間進行形態(tài)變化，不同的狀態(tài)下，其電阻亦不相同，利用這項特性，我們可以進行數(shù)據(jù)的存儲。
與DRAM相比，PRAM不僅寫入速度上快30倍，同時，壽命也要比DRAM高出10倍以上。而且PRAM最大的優(yōu)點在于設(shè)備斷電后依舊可以保存數(shù)據(jù)，這樣來看，PRAM不僅僅可以代替內(nèi)存，同時還可以取代閃存。
PRAM具有高性能和低功耗的優(yōu)點，未來將可用于在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、工業(yè)市場等環(huán)境下。目前Intel和三星等行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者都在大力推進PRAM內(nèi)存的發(fā)展?！?/p>
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