自主研發(fā)+自主建廠國產(chǎn)存儲芯片廠開工
全球最主要的存儲芯片產(chǎn)能都掌握在美國、日本與韓國公司手中，DRAM內(nèi)存是三星、美光及SK Hynix，NAND閃存領(lǐng)域則是三星、SK Hynix、東芝/閃迪、美光/Intel等四大豪門，國內(nèi)所用的內(nèi)存及閃存基本上都是進(jìn)口的。在這種情況下，國內(nèi)的半導(dǎo)體扶植基金把存儲芯片作為突破口，將耗資240億美元在武漢建設(shè)國內(nèi)最大、非常先進(jìn)的存儲芯片基地，現(xiàn)在這個項目就要開始實施了——武漢新芯公司28日就會正式開工建設(shè)自主研發(fā)的晶圓廠。
國產(chǎn)存儲芯片這個項目曾經(jīng)吸引了國內(nèi)多個城市競爭，去年確定落戶武漢市，由武漢新芯公司負(fù)責(zé)建設(shè)、運營。值得一提的是，在競爭中落敗的合肥市并沒有放棄，他們聯(lián)合了前爾必達(dá)董事長坂本幸雄設(shè)立的兆基科技公司投資8000億日元在合肥建造另外的存儲芯片廠，國內(nèi)一下子要造出兩個存儲芯片基地了。
合肥的項目還沒有最終成行，相比之下武漢的國產(chǎn)存儲芯片建設(shè)已經(jīng)踏上正軌了，本月28日就會舉行首座12英寸晶圓廠動工儀式。他們的最終目標(biāo)是籌資240億美元，至少會有2座12英寸晶圓廠，月產(chǎn)能高達(dá)30萬片晶圓，日后將成為中國最大、非常先進(jìn)的存儲器研發(fā)與生產(chǎn)制造基地。
武漢新芯公司成立于2006年，是湖北武漢市的重大戰(zhàn)略投資項目，2008年12寸晶圓廠投產(chǎn)，原本是中芯國際旗下的晶圓廠，2013年中芯國際推出運營，武漢新芯成為獨立公司，由武漢市政府負(fù)責(zé)。目前武漢新芯戰(zhàn)地面積531畝，現(xiàn)有一座12寸晶圓廠，主產(chǎn)NOR閃存。
相比NAND閃存及3D閃存，NOR閃存目前來說已經(jīng)不是主流了，這意味著新芯公司與國際公司存在的技術(shù)代溝。此前該公司也曾尋求與三星、SK Hynix及美光等公司技術(shù)合作，但最終都沒有結(jié)果，因此武漢新芯公司將采用自主研發(fā)、自主建廠的方式運營。
根據(jù)之前的消息，新芯公司之前跟Spansion飛索半導(dǎo)體合作開發(fā)3D NAND閃存，這應(yīng)該是他們的閃存技術(shù)來源了，但是不確定這種3D閃存的技術(shù)水平到底如何。
武漢新芯公司官網(wǎng)上今年的新聞只有一條，不過最新的幾條新聞都是圍繞3D NAND閃存的，看起來他們也確實把3D閃存作為攻堅重點。
目前存儲芯片市場上，隨著新工藝及投入的增大，三星、SK Hynix等公司的產(chǎn)能都在迅速提升，下半年內(nèi)存價格都有可能暴跌40%，NAND閃存市場同樣也會降價的壓力，這對國產(chǎn)存儲芯片公司來說是個考驗。綜觀國內(nèi)液晶及LED產(chǎn)業(yè)的崛起，國內(nèi)公司都是靠著政府支持及補貼大打價格戰(zhàn)來占領(lǐng)市場的，存儲芯片領(lǐng)域同樣難逃這個命運。我們在支持國內(nèi)公司做大做強的同時，也希望這些公司能以技術(shù)優(yōu)勢立足而不是一味拼低價，國內(nèi)的鋼鐵產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在就是個“榜樣”?！?/p>
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