三星量產(chǎn)新工藝內(nèi)存顆粒 刺激內(nèi)存下滑
全球的DRAM內(nèi)存顆粒市場(chǎng)上，三星、SK海力士、美光已經(jīng)呈現(xiàn)三分天下的架勢(shì)，其中三星無(wú)論工藝、產(chǎn)能還是占有率都有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。2014年第一個(gè)量產(chǎn)20nm DRAM工藝之后，如今三星再次領(lǐng)跑，已經(jīng)量產(chǎn)了18nm DRAM。
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星去年已經(jīng)將70％的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)換到20nm，如今又進(jìn)入了18nm時(shí)代，領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步擴(kuò)大。
相比之下，SK海力士明年初才會(huì)量產(chǎn)18nm DRAM，而美光還停留在前往20nm的路上.
另一方面，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的日益復(fù)雜，工藝進(jìn)步的空間似乎越來(lái)越小。CPU處理器從20nm來(lái)到了16/14nm，NAND閃存則從20nm走到了16/15nm，DRAM內(nèi)存僅僅從20nm變到18nm，是不是停滯了？
顯然非也。三星20nn DRAM工藝通過(guò)雙重曝光技術(shù)、采用蜂窩狀結(jié)構(gòu)，將單元密度提升了多達(dá)70％，18nm上則會(huì)進(jìn)一步使用四重曝光技術(shù)，每一次電路蝕刻都要進(jìn)行3-4次曝光，并繼續(xù)改進(jìn)結(jié)構(gòu)密度，整體效能可提升至少20％。
而在市場(chǎng)方面，隨著新工藝的到來(lái)、產(chǎn)能的擴(kuò)大，以及PC需求的下降、收集需求的增長(zhǎng)減緩，內(nèi)存價(jià)格將在今年出現(xiàn)大幅度下滑，下半年至少會(huì)降20-30％，最多可達(dá)40％。三星18nm加入戰(zhàn)局，必然會(huì)進(jìn)一步刺激價(jià)格走低?！?/p>
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