武漢存儲(chǔ)芯片基地要做內(nèi)存閃存行業(yè)龍頭.
位于武漢的國(guó)家存儲(chǔ)器基地已經(jīng)在28日破土動(dòng)工，該項(xiàng)目由武漢新芯科技（XMC）公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)投資240億美元，背后則是國(guó)家大基金及武漢市政府基金支持，意圖在武漢打造全國(guó)最大、非常先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片基地。該項(xiàng)目動(dòng)工之后，我們才發(fā)現(xiàn)他們的目標(biāo)遠(yuǎn)不止于此，跟紫光豪言世界前三類似，武漢存儲(chǔ)器基地的最終產(chǎn)能也不是之前說(shuō)的20萬(wàn)片，而是100萬(wàn)片，他們要做行業(yè)龍頭企業(yè)，同時(shí)主攻NAND閃存及DRAM內(nèi)存兩大行業(yè)。
武漢存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)基地背后的出資人有國(guó)家隊(duì)的大基金，也有地方隊(duì)的湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、國(guó)開(kāi)發(fā)展基金及湖北科技投資集團(tuán)，預(yù)計(jì)5年內(nèi)投入240億美元，2018年建成投產(chǎn)。至于產(chǎn)能，當(dāng)初提到的是每月20萬(wàn)片晶圓，這個(gè)產(chǎn)能已經(jīng)很強(qiáng)大了，不過(guò)后期還會(huì)繼續(xù)增加，2020年預(yù)計(jì)產(chǎn)能可達(dá)30萬(wàn)片晶圓每月，到了2030年則會(huì)提升到100萬(wàn)片每月。
國(guó)際通行的半導(dǎo)體產(chǎn)能衡量指標(biāo)是統(tǒng)一到8英寸晶圓產(chǎn)能上，根據(jù)2015年統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，全球產(chǎn)能最大的半導(dǎo)體公司是三星，總產(chǎn)能是每月253.4萬(wàn)片，第二名是TSMC，每月產(chǎn)能為189.1萬(wàn)片，第三名是美光，每月產(chǎn)能160萬(wàn)片晶圓，第四、第五分別是東芝/閃迪、SK Hynix，產(chǎn)能134.4萬(wàn)片、131.6萬(wàn)片，第七名則是GlobalFoundries，產(chǎn)能為76.2萬(wàn)片。
產(chǎn)能TOP5的公司都是經(jīng)過(guò)多年投資的大廠，而武漢存儲(chǔ)器基地建成之時(shí)的20萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能算不上，但2030的100萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能就不可小覷了，差不多能達(dá)到SK Hynix與GlobalFoundries之間的量級(jí)了?！?5年后的產(chǎn)能比現(xiàn)在的水平雖然不公平，但別忘了武漢的晶圓廠只是中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一部分，其他城市還有更多類似項(xiàng)目，總體發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)國(guó)際公司，后者新建晶圓廠的動(dòng)機(jī)并不高。
此外，武漢基地的晶圓廠瞄準(zhǔn)的是整個(gè)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，第一階段的晶圓廠會(huì)主攻NAND閃存，而且是3D NAND閃存，第二家工廠則是針對(duì)DRAM內(nèi)存芯片，第三個(gè)階段的工廠要為供應(yīng)商服務(wù)。
國(guó)內(nèi)投資建設(shè)的項(xiàng)目從來(lái)不缺資金，發(fā)展目標(biāo)同樣也非常遠(yuǎn)大，100萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能依然是個(gè)開(kāi)始，這個(gè)項(xiàng)目的目標(biāo)是做全球行業(yè)龍頭。中國(guó)大基金總經(jīng)理丁文武在采訪中也表示大基金的投資方面就是做行業(yè)龍頭，不做一般的風(fēng)險(xiǎn)投資、天使投資。
不過(guò)在巨額資金及雄心壯志背后，武漢基地的存儲(chǔ)芯片技術(shù)水平依然是個(gè)迷，雖然直接切入新一代的3D NAND閃存，但今年國(guó)際主流的3D堆棧層數(shù)已經(jīng)達(dá)到了32-48層，新芯科技與飛索半導(dǎo)體研發(fā)的3D NAND據(jù)說(shuō)只有8層堆棧，建成工廠還需三年左右時(shí)間，屆時(shí)技術(shù)差距又該如何縮小呢？■
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