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鎂光出最快DRAM樣品 每秒能傳輸400MB

    美光科技公司今天宣布，它將向客戶和主要推廣者提供業(yè)界最快的512兆比特（Mb）的行動DRAM器件樣品，以用于功能豐富的最新行動電子設(shè)備。

    隨著行動應(yīng)用增加了更多的計(jì)算和多媒體功能，更快，性能更好的記憶體成為優(yōu)化性能的首要選擇。而美光的512Mb移動DRAM可提供高達(dá)200MHz的最大時(shí)鐘速度，每秒能夠傳輸400Mb的資料，從而滿足當(dāng)今非常先進(jìn)的行動設(shè)備的需求。   

    除具有符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1.8伏特的輸入/輸出（I/O）外，該設(shè)備還有1.2伏特的I/O選件，該選件改進(jìn)了高速、高頻寬運(yùn)行的信號傳輸，是下一代行動晶片組合的一個(gè)關(guān)鍵設(shè)計(jì)要求。它還提供了從攝氏-40度至+攝氏85度的運(yùn)行溫度范圍，此運(yùn)行溫度范圍較大，使其成為在極端條件下運(yùn)轉(zhuǎn)的產(chǎn)品的非常好的選擇。該公司計(jì)畫將512Mb的行動DRAM與NAND快閃記憶體和管理NAND器件組裝在一起，還打算將它用于多晶片封裝或?qū)盈B封裝。預(yù)計(jì)在今年第二季度會開始大規(guī)模生產(chǎn)。