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DRAM上演納米戰(zhàn) 奇夢達(dá)將推58nm工藝

    據(jù)奇夢達(dá)亞太區(qū)計(jì)算類存儲產(chǎn)品部市場經(jīng)理吳至中介紹，目前70nm工藝已占奇夢達(dá)70%產(chǎn)能，今年將會導(dǎo)入58nm制程，然后會不斷向46nm、30nm挺進(jìn)。吳至中透露，70nm是奇夢達(dá)DDR3產(chǎn)品的工藝起點(diǎn)，但低功耗的實(shí)現(xiàn)能力則是奇夢達(dá)的技術(shù)優(yōu)勢。

    據(jù)悉，英特爾將在2008年中，推出業(yè)界首臺擁有省電、高性能的DDR3內(nèi)存之迅馳移動運(yùn)算技術(shù)平臺。Intel對此的評價是，即將上市的Intel迅馳雙核處理器加上奇夢達(dá)SO-DIMMs低功耗及高帶寬，將使Intel的PC、服務(wù)器以及移動平臺在2008年展現(xiàn)更高性能，并兼具省電及增大容量的特性。

    來自Intel的評測，在目前能提供1G DDR3-1333設(shè)計(jì)者中，只有奇夢達(dá)達(dá)到了低于2.5W——為一臺典型的筆記本電腦配置2GB SO-DIMM內(nèi)存所限定的最大功耗。

　 2GB的SO-DIMM模塊采用了75nm工藝的1Gbit DDR3組件，省電效果非常明顯，與DDR2相比，DDR3優(yōu)勢明顯，DDR3僅需1.5伏特的電力供給，而DDR2則需1.8伏特。根據(jù)SO-DIMM容量的不同，奇夢達(dá)的DDR3 SO-DIMMs與現(xiàn)今主流的DDR2模塊相比，可以節(jié)省30%到50%的耗電量。