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美光發(fā)布全球首顆手機3D閃存：容量32GB

　　TLC SSD越來越多用上了3D閃存技術(shù)，現(xiàn)在美光將它帶到了智能手機領(lǐng)域。

　　美光今天宣布了全球先進個基于UFS2.1存儲標準的手機3D-NAND解決方案，容量為32GB。

　　3D-NAND好處有三點：提高壽命、做大容量(TB不是夢)、改善性能。

　　3D-NAND走的是垂直發(fā)展，美光稱自己做到了60.217mm2的Die面積，一方面減少了對平面空間的占用(30%)，另一方面將立體空間利用起來，這對于智能手機提高容量、集成更多元件(比如電池)具有很重要的意義。另外，美光配套開發(fā)了新的MCP多芯片封裝技術(shù)，支持LPDDR4X，這比LPDDR4還要省電20%。UFS2.1其實就是HS-G3，讀取速度達到1.5GB/s，寫入接近500MB/s，是目前UFS 2.0的2倍。■