GF正式宣布7nm FinFET制程工藝規(guī)劃
代工廠GlobalFoundries今天官方宣布了7nm FinFET半導(dǎo)體工藝規(guī)劃，面向數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)、高級移動(dòng)處理器、深度學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。GF目前的主力性能工藝是14nm FinFET，但此前就披露下一步將跳過行業(yè)流行的10nm而直奔7nm，因?yàn)镚F認(rèn)為10nm和之前的20nm一樣只是過渡工藝，7nm才是下一個(gè)高性能節(jié)點(diǎn)。
AMD也已經(jīng)和GF首次簽署了為期五年的晶圓供應(yīng)協(xié)議，將共同進(jìn)軍7nm。
GF表示，7nm FinFET工藝將使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的FinFET晶體管架構(gòu)和光刻技術(shù)，因此可在很大程度上重新利用現(xiàn)有14nm FinFET工藝的工具和資源，大大加速投產(chǎn)進(jìn)度，同時(shí)還會兼容EUV極紫外光刻技術(shù)，為未來發(fā)展做好儲備。
GF 14nm FinFET工藝目前正在美國紐約州的Fab 8工廠內(nèi)量產(chǎn)，并將為7nm FinFET工藝的開發(fā)和生產(chǎn)，繼續(xù)投資幾十億美元。
GF宣稱，7nm FinFET工藝相比有目前的16/14nm FinFET，電路集成密度可以增加超過1倍，性能則可以提升30％。
AMD自然將是GF 7nm FinFET工藝的主要客戶，據(jù)稱新處理器代號“Starship”，最多48核心96線程，熱設(shè)計(jì)功耗180W。
AMD CEO蘇姿豐博士也特別表示：“GF 7nm FinFET等優(yōu)異技術(shù)是我們計(jì)算、圖形產(chǎn)品長期路線圖的重要組成部分，可支撐下一代計(jì)算體驗(yàn)。我們期待與GF繼續(xù)緊密合作，延續(xù)其在14nm上的堅(jiān)定執(zhí)行力和技術(shù)基礎(chǔ)，從而在未來幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能低功耗的7nm技術(shù)?！?/p>
作為GF的技術(shù)來源之一，IBM也對其勇敢進(jìn)軍7nm表達(dá)了大力支持。
GF 7nm已經(jīng)開始內(nèi)部測試，預(yù)計(jì)2017年下半年開始接受客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)，2018年初投入試產(chǎn)。
另消息稱，Intel 7nm已經(jīng)推遲到2022年。
除了高性能的7nm FinFET，GF日前還宣布了下一代低功耗工藝12nm FD-SOI(12FDX)，將繼承22FDX，面向移動(dòng)計(jì)算、5G互連、人工智能、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域，計(jì)劃2019年量產(chǎn)。■
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