繼續(xù)領(lǐng)先 三星明年推出15nm DRAM內(nèi)存
三星上周發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào)，移動(dòng)部門因?yàn)镹ote 7召回事件損失了15%的營(yíng)業(yè)額，運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)則直線下滑96%,但受益于存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門營(yíng)收表現(xiàn)不錯(cuò)，彌補(bǔ)了部分虧損?？紤]到NAND閃存、DRAM內(nèi)存漲價(jià)的勢(shì)頭還要持續(xù)一段時(shí)間，三星也加快了內(nèi)存升級(jí)步伐，今年初率先量產(chǎn)了18nm DRAM，明年則會(huì)推出15-16nm工藝的DRAM，繼續(xù)領(lǐng)先對(duì)手一代。
DRAM內(nèi)存芯片的工藝“代”數(shù)跟我們常見的22nm、14nm、10nm處理器工藝不同，25nm工藝之后是20nm，有的廠商則是21nm，再往下就是18nm，不過目前只有三星量產(chǎn)了18nm工藝，SK Hynix及美光目前還掙扎在20nm節(jié)點(diǎn)，18nm工藝要等到明年。
三星今年初率先量產(chǎn)了18nm工藝，但是明年就要推出新一代工藝了。韓國(guó)Business Korea網(wǎng)站援引業(yè)界消息稱三星明年下半年將量產(chǎn)15-16nm工藝的DRAM內(nèi)存。從這一點(diǎn)上來看，三星去年宣布的2020年前實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)內(nèi)存工藝的進(jìn)度可能會(huì)提前，2019年就有可能了。
除了繼續(xù)領(lǐng)先新工藝，三星的18nm工藝產(chǎn)能也會(huì)擴(kuò)大，到了明年下半年，18nm內(nèi)存將占到30-40%的產(chǎn)能——那個(gè)時(shí)候，SK Hynix和美光的18nm大概才會(huì)量產(chǎn)吧。
在DRAM內(nèi)存領(lǐng)先，雖然目前只剩下了三星、SK Hynix和美光三家廠商，但三星一家獨(dú)大的情況并沒有改變，甚至還可能會(huì)繼續(xù)領(lǐng)先。iHS統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示三星在內(nèi)存市場(chǎng)上的份額高達(dá)46.6%，不僅產(chǎn)能大，而且技術(shù)領(lǐng)先，在20nm、18nm上已經(jīng)甩開對(duì)手一年到一年半時(shí)間。
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