10年來最大進(jìn)展之一 三星電子宣布研發(fā)出1Tb芯片
三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級，在今天三星電子宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb（terabit）的 3D NAND 芯片，預(yù)計(jì)明年問世。據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星研發(fā) 1Tb 的 V-NAND 芯片（即垂直堆棧的 3D NAND），容量是當(dāng)前最大內(nèi)芯片512Gb（gigabit）的兩倍。三星將結(jié)合 16 個(gè) 1Tb 的 die，構(gòu)成一組 V-NAND 組，每組閃存容量可達(dá) 2TB（terabyte）。三星宣稱，該技術(shù)是過去 10 年來閃存的最大進(jìn)展之一。
1Tb 相當(dāng)于 126GB，能夠儲存 60 部兩小時(shí)的高畫質(zhì)電影。三星表示，許多產(chǎn)業(yè)發(fā)展人工智能和物聯(lián)網(wǎng)，數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用程序大增，F(xiàn)lash 內(nèi)存扮演關(guān)鍵角色，可以加快數(shù)據(jù)抽取速度，以供實(shí)時(shí)分析。
不只如此，三星也秀出 NGSFF 固態(tài)硬盤（Next Generation Small Form Factor SSD），將取代當(dāng)前的 M.2 SSD 規(guī)格。三星表示 NGSFF 容量為前代的 4 倍，將于今年第四季量產(chǎn)。
三星 2016 年發(fā)表 Z-SSD 技術(shù)，現(xiàn)在首度發(fā)表采用此一技術(shù)的 SZ985 固態(tài)硬盤，宣稱可用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)系統(tǒng)，處理大數(shù)據(jù)分析等數(shù)據(jù)密集作業(yè)。Z-SSD 讀取延遲時(shí)間為 15 微秒，大約是 NVME 固態(tài)硬盤的七分之一?！?/p>
本文編輯：宋陽
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