從內(nèi)存時序的角度告訴你 三星B-DIE為何成為高端所用
很多時候，記憶決定了我們是什么人，讓我們不忘往事，學習并記住新技能，以及為我們的人生做規(guī)劃。像計算機常常扮演人的延伸這一角色，內(nèi)存也起到同樣的作用。
說到內(nèi)存，我們都知道它是與CPU進行溝通的橋梁，在暫時存放CPU運算數(shù)據(jù)、與硬盤等外部存儲器進行數(shù)據(jù)交換等方面發(fā)揮著不可或缺的作用。所以，內(nèi)存的性能對一臺計算機的影響非常大。
我們在選購內(nèi)存時，一般會重點關(guān)注內(nèi)存頻率的大小，因為頻率越高，內(nèi)存性能越好。這也是為什么很多商家選擇把頻率標注在最顯眼地方的原因。不過除了頻率，內(nèi)存還有一個重要的指標值得我們關(guān)注，那就是時序。內(nèi)存時序應該如何解讀？是越大越好還是越小越好呢？
內(nèi)存時序由四個數(shù)字組成，表示內(nèi)存工作的速度或者延遲，和內(nèi)存頻率一樣，同樣代表了一款內(nèi)存性能的高低。我們以影馳名人堂DDR4-3600內(nèi)存時序為例，從左到由的數(shù)字分別對應的參數(shù)名詞為CAS（CL）,TRCD,TRP,TPAS。
我們可以把內(nèi)存存儲的地方想象成格盤，每個方格都存儲著不同的數(shù)據(jù)。CPU需要什么數(shù)據(jù)，就會向內(nèi)存發(fā)出指令，告訴它所需要數(shù)據(jù)的具體坐標。比如說需要的數(shù)據(jù)坐標為C1。那么內(nèi)存就要先確定數(shù)據(jù)在哪一行。所以時序的第二個參數(shù)TRCD，就是指內(nèi)存控制器接收到行的指令后，需要等待多長時間才能訪問這一行。
在確定了行數(shù)之后，內(nèi)存需要進一步確定數(shù)據(jù)所在第幾列，這一過程所花費的時間就是第一個參數(shù)CAS。
第三個參數(shù)TRP，是指如果已經(jīng)確定了一行，還需要再確定另外一行需要等待的時間。而最后一個參數(shù)TPAS，可以簡單理解成內(nèi)存寫入或者讀取數(shù)據(jù)的時間，一般而言，TPAS大于或者等于CAS+TRCD+TRP的總和。
所以，在保證穩(wěn)定性的前提下，內(nèi)存時序越低越好。它與頻率一起，共同構(gòu)成了內(nèi)存性能的主要考核標準。
在這種情況下，保持高頻率在低延時狀態(tài)下穩(wěn)定運行，成為了高端內(nèi)存需要具備的表現(xiàn)。在這背后，一個高性能的DRAM顆粒是必要的支撐。
對比全球主要DRAM顆粒類型，性能參次不齊。現(xiàn)代的MFR和AFR IC峰值頻率一般維持在3200-3333MHz（20%左右良率），60%良率集中在3000MHz；如果想超頻跑到3600-4000MHz，需要加壓到2V左右，時序中第一時間可以達到12，但是后兩個時序（tRCD和tRP）則必須在16-18之間。
鎂光最新20nm制程的IC量產(chǎn)頻率峰值可以達到3333-3466MHz（20%左右良率），3000MHz的良率在50%左右，極限超頻上暫時沒有驚艷之處；
而三星的B-DIE IC以高頻穩(wěn)定的特點，聲名在外。在極限超頻時CAS（CL）、TRCD、TRP三個時序完全同步，能夠保持時序C12-12-12運行在3866-4300MHz（或更高）完成各類世界記錄的Benchmark。
綜合來看，DRAM顆粒孰好孰壞，大家心中現(xiàn)在已然有數(shù)。三星B-DIE憑借低延時、高頻率、高穩(wěn)定的特點深受超頻玩家欽慕，成為高端市場的嬌寵，例如影馳的名人堂系列內(nèi)存，就采用了三星的B-DIE IC。
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