從B-Die到名人堂內(nèi)存 多得是你不知道的事
從B-Die到名人堂內(nèi)存 多得是你不知道的事
由一個(gè)零散的個(gè)體進(jìn)化成名人堂內(nèi)存的核心
這是一顆B-Die的崇高使命
亦是一顆B-Die的魔鬼歷程
B-Die顆粒聲名在外
但不是每一顆B-Die
都有資格成為影馳名人堂系列內(nèi)存的選擇
它必是精品中的精品
在一塵不染的實(shí)驗(yàn)室
要面對(duì)一臺(tái)臺(tái)專業(yè)設(shè)備的嚴(yán)茍測(cè)試和篩選
每一個(gè)環(huán)節(jié)都是決定生死的時(shí)刻
每一個(gè)環(huán)節(jié)的結(jié)束都是下一個(gè)環(huán)節(jié)的開始
實(shí)驗(yàn)室里專業(yè)而又挑剔的工程師
對(duì)每個(gè)環(huán)節(jié)都要嚴(yán)格把關(guān)，小心翼翼
耐心地等到所有環(huán)節(jié)的測(cè)試結(jié)果都符合預(yù)期的那一刻
才把它用于名人堂系列內(nèi)存上
三星B-Die顆粒，得益于自身優(yōu)秀的基因，能夠創(chuàng)造出極高的頻率和極低的延遲，幫助使用者完成各類超頻需求，深受全球超頻玩家青睞。單就這一點(diǎn)來講，我們可以很容易給它一個(gè)明確清晰的注解——專為高端而生。
而定位高端的影馳名人堂系列內(nèi)存，秉承最優(yōu)異用料的方針，從第一代開始，三星B-Die就成為了必選顆粒。
最極致的追求遇見最好的顆粒，一款好內(nèi)存的誕生顯得順理成章。然而，好內(nèi)存強(qiáng)大性能的背后，從來都不是簡(jiǎn)單意義上的物理堆料。扎實(shí)的優(yōu)化能力和嚴(yán)格復(fù)雜的專業(yè)測(cè)試，才是鍛造它極致性能的保障。
在影馳名人堂系列內(nèi)存身上，每一顆B-Die要先使用大型高精準(zhǔn)設(shè)備進(jìn)行體質(zhì)驗(yàn)證，按照頻率、時(shí)序、電壓進(jìn)行分類，經(jīng)過多重復(fù)雜嚴(yán)格的測(cè)試，方會(huì)挑選出綜合體質(zhì)最好的IC。
體質(zhì)最好的IC將在內(nèi)存治具和設(shè)備上再次篩選，通過設(shè)定“Bin檔”以電壓值作為判定標(biāo)準(zhǔn)， 同個(gè)“Bin檔”設(shè)置下電壓值越低，代表IC體質(zhì)越強(qiáng)大。
“Bin檔”內(nèi)可設(shè)置多達(dá)幾百個(gè)微調(diào)參數(shù)，再以電壓值判定體質(zhì)差異(DDR4特性電壓值越低體，質(zhì)量越好)，觀察每一顆DRAM IC的訊號(hào)強(qiáng)弱，并根據(jù)IC體質(zhì)特性進(jìn)行配對(duì)。如此嚴(yán)茍復(fù)雜的條件，只為“培育”出最強(qiáng)大的基因，并最終能轉(zhuǎn)化為名人堂系列內(nèi)存極致超頻性能的強(qiáng)力支撐。
最終生產(chǎn)制造出的內(nèi)存條成品，仍需要跨過最后一道門檻——功能性測(cè)試。只有在所有的出產(chǎn)規(guī)格都符合標(biāo)準(zhǔn)后，內(nèi)存條成品才會(huì)被投放在市場(chǎng)中。
B-die作為高端顆粒，為內(nèi)存性能帶來的提升無需多言。但高端內(nèi)存是需要精雕細(xì)琢的一個(gè)特殊品類，在優(yōu)質(zhì)顆粒的基礎(chǔ)上，豐富的優(yōu)化經(jīng)驗(yàn)、嚴(yán)格的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，諸多優(yōu)勢(shì)整合在一起才能培育出它的完整形態(tài)。所以關(guān)注產(chǎn)品背后廠商的軟實(shí)力，而不只是關(guān)注于顆粒本身，所體現(xiàn)的意義要大得多。
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