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40納米2G DDR3內(nèi)存獲得Intel認(rèn)證通過

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道11月21日 海力士最新發(fā)布消息顯示，該公司采用40納米制程生產(chǎn)的2GB DDR3內(nèi)存模組第一通過英特爾公司認(rèn)證。

    目前已經(jīng)通過英特爾核準(zhǔn)認(rèn)證的內(nèi)存產(chǎn)品包括4GB DDR3 SO-DIMM，2GB DDR3 UDIMM，兩款內(nèi)存頻率都是1333MHz，電壓1.5v。相比之下，海力士40納米2G bit DRAM顆粒能耗比50納米版本DDR3 DRAM顆粒要降低40%，產(chǎn)能提升60%。■