省30%功耗 三星首款30nm制程DDR3芯片
分享
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道2月2日 三星公司近日宣布他們已經(jīng)成功制成了業(yè)內(nèi)首款30nm制程 2Gb DDR3芯片。據(jù)三星公司表示，啟用30nm制程后，DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出率將比40nm制程提升60%左右，相比50/60nm制程的成本利用率則能 提升兩倍左右。
三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30％的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Green DRAM)，另外相比40nm級別工藝量產(chǎn)效率可提高60％，相比50-60nm級別工藝更是可達兩倍之多。
三星30nm制程2Gb DDR3芯片的能耗相比50nm芯片下降了30%以上，這種芯片將被應(yīng)用在從臺式機，筆記本到服務(wù)器，上網(wǎng)本以及移動設(shè)備等應(yīng)用場合上。三星這種30nm 制程芯片將于今年下半年投入量產(chǎn)?！?/P>
0人已贊
關(guān)注我們
