SK海力士發(fā)布新一代內存條 8GB容量 效率提高20%
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SK海力士宣布已開發(fā)出1Ynm 8Gb(Gigabits)DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)DRAM。與上一代1Xnm DRAM相比，該產品的生產率提高了20%，功耗降低了15%以上。
新發(fā)布的內存條將支持高達3,200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，這是DDR4接口中最快的數(shù)據(jù)處理速度。該公司采用“4相時鐘”方案，使時鐘信號加倍，以提高數(shù)據(jù)傳輸速度和穩(wěn)定性。
SK海力士還推出了自己的'Sense Amp'控制技術，以減少功耗和數(shù)據(jù)錯誤。憑借這項技術，公司成功地提高了讀取寫入的性能。SK海力士改進了晶體管結構，降低了數(shù)據(jù)傳輸出錯的可能性。該公司還在電路中增加了一個低功耗電源，以防止不必要的能耗。
“這款1Ynm 8Gb DDR4 DRAM為客戶提供了非常好的的性能和硅密度，”DRAM營銷主管Sean Kim副總裁說。“SK海力士計劃從明年第一季度開始出貨，積極響應市場需求?！?/p>
SK海力士計劃將1Ynm技術流程擴展到服務器和PC領域，后來擴展到其他各種應用，如移動手機等設備。
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